芯片封装基板电性接触垫的电镀镍金制作方法与结构

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1、芯片封装基板电性接触垫的电镀镍金制作方法与结构自己收集整理的错误在所难免仅供参考交流如有错误请指正！谢谢中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会　　　　　　无效宣告请求审查决定　　　　决定号　　第11512号　　决定日　　2008年5月21日　　发明创造名称　　芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法与结构　　国际分类号　　H01L23/38H01L23/14H01L21/60H05K3/40无效宣告请求人　　南亚电路板股份有限公司　　专利权人　　全懋精密科技股份有限公司　　专利号　　01144617.X　　申请日　　2001年12月20日　　授权公告日　　2005

2、年8月24日　　合议组组长　　樊晓东　　主审员　　李韵美　　参审员　　林静　　　　法律依据　　专利法第二十二条第三款　　决定要点:　　如果一项权利要求的技术方案与现有技术相比存在区别技术特征但是现有技术中给出使用该区别技术特征的技术启示且该区别技术特征的使用并没有给该权利要求的技术方案带来预料不到的技术效果那么该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步从而不具有创造性　　一、案由　　本无效宣告请求案涉及国家知识产权局于2005年8月24日授权公告、名称为"芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法与结构"的ZL01144617.X号发明专利（下称本专利）本专利的申请日

3、为2001年12月20日、专利权人是全懋精密科技股份有限公司本专利授权公告的权利要求书为：　　"1.一种芯片封装基板电性接触垫的结构包括一基板该基板具有已电路图案化的线路层该线路层具有若干电性接触垫其特征在于：　　该基板的电性接触垫的各个外表面都完全被一电镀镍/金层所包覆且该基板没有另外布设在电性接触垫作为电镀镍/金用的电镀导线　　2.如权利要求1所述的芯片封装基板电性接触垫的结构其特征在于所述的电性接触垫可为基板的打线垫或锡球垫　　3.一种芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法其特征在于包含以下步骤：　　（a）提供一已电路图案化而定义出线路层的基板在该基板的表面覆

4、盖上一导电膜；　　（b）在覆有导电膜的基板表面形成一第一光致抗蚀剂层该光致抗蚀剂层具有开孔以露出开孔下方为导电膜所覆盖的作为电性接触垫区域的部分线路层；　　（c）移除未被该第一光致抗蚀剂层所覆盖的导电膜；　　（d）在基板上形成一第二光致抗蚀剂层该第二光致抗蚀剂层覆住残露于第一光致抗蚀剂层开孔区的导电膜；　　（e）对该基板进行电镀镍/金使所述电性接触垫整个表面皆镀上镍/金层　　（f）移除第一光致抗蚀剂层、第二光致抗蚀剂层和其所覆盖的导电膜　　4.如权利要求3所述的芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法其特征在于在步骤（f）后还包括一步骤（g）在该基板表面覆上一防焊层　

5、　5.如权利要求3或权利要求4所述的芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法其特征在于该基板内部具有单层电路图案化线路层或多层电路图案化线路层　　6.如权利要求3或权利要求4所述的芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法其特征在于所述的电性接触垫为基板的打线垫或锡球垫　　7.如权利要求3或权利要求4所述的芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法其特征在于所述的导电膜为锡、铜、铬、钯、镍、锡/铅材质或其合金所组成　　8.如权利要求3或权利要求4所述的芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法其特征在于所述的导电膜用溅镀、无电镀或物理、化学沉积方式形成"　　针对上述专

6、利权南亚电路板股份有限公司（下称请求人）于2007年7月31日向专利复审委员会提出无效宣告请求请求人所提交的证据为：　　附件1：本专利授权公告文本的复印件共15页；　　附件2：美国专利第5733466号的复印件共10页公开日为1998年3月31日（下称对比文件1）；　　附件3：美国专利第5545927号的复印件共7页公开日为1996年8月13日（下称对比文件2）；　　附件4：欧洲专利第0277118B1号的复印件共5页公开日为1990年4月4日（下称对比文件3）；　　附件5：美国专利第5176811号的复印件共7页公开日为1993年1月5日（下称对比文件4）　　请求无效

7、的理由是：本专利全部权利要求均不具有创造性具体理由为：本专利要解决的技术问题与对比文件1所揭示的完全相同都是提供一种封装基板之接触垫的电镀制作方法且该制作方法无需于基板之表面布设电镀导线；本专利解决的技术问题的技术手段与对比文件1所揭示的完全相同；本专利权利要求1、3完全被对比文件1所公开不符合专利法第22条第3款的规定；本专利权利要求1完全被对比文件3及公知技术所公开不符合专利法第22条第3款的规定；本专利从属权利要求2、6中进一步限定的附加技术特征已经被对比文件1公开本专利从属权利要求4、5、7、8中进一步限定的附加技术特征是公知技术