成都理工大学电法勘查模拟试卷

成都理工大学电法勘查模拟试卷

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1、成都理工大学《电法勘探》试卷1适用专业:勘查技术与工程一、回答下列问题(20分)1、 写出视电阻率微分公式,并说明式中各量的含义。2、 简述电子导体自然电场的形成过程。3、 写出传播系数k在一般情况、导电介质、空气中的表达式。4、 写出极化率和视极化率表达式,并说明二者的区别。二、计算题(15分)某工区已知围岩电阻率为200Ωm,极化率为3%,在进行激电中梯测量时,已知供电极距为1000m,测量极距为40m。为保证△U2不低于3mv,试估算至少需多大的供电电流?三、有如下地电断面(20分)求:(1)、绘出对称四极测深曲线,并确定曲线类型(2)、中间层纵向电导S2等于多少?ρ1

2、=100Ωmh1=30m(3)、当h2=5m,ρ2=10Ωm时,曲线有无变化?为什么?ρ2=20Ωmh2=10m(4)、若ρ3→∞时,曲线尾支将如何变化?绘出变化后的曲线。(5)、写出转换函数T2(m)表达式四、用相位三角形表示一次磁场、二次磁场和总磁场的相位关系,并指出,振幅相位法和实虚分量法所测的量是哪一个量?(20分)五、定性绘出下述地电断面上相应装置的视参数曲线。(10分)1、联剖装置ρs和ηs曲线。2、点源梯度E1x、E2x、ηs曲线B(-I)ρ1η1η1ρ2<<ρ1,η2>>η1η2>>η1六、判断下列各题。正确打(√),错误打(×)(10分)1、 正交点电阻率值

3、不一定小于背景值。()2、 电阻率中梯装置适合于寻找直立的低阻薄脉和水平高阻薄板。()3、 低阻体一定高极化,高阻体一定低极化。()4、 实测一条K型视电阻率曲线,则表明地下一定是水平层状介质。()*5、 瞬变电磁场的近区归一化参数U<<1是指收-发距小或t(τ)小。远区U>>1是指收-发距大或t(τ)也大。()七、证明两层介质当ρ2→∞时,绘于双对数坐标中的水平二层电测深曲线尾支渐近线与ρs=ρ1之水平直线相交,其交点的横坐标等于h1,并绘图表示。(5分)成都理工大学《电法勘探》试卷1(参考答案)适用专业:勘查技术与工程一、           回答问题(20分)1、ρs=

4、JMN*ρMN/JO,ρs:视电阻率;JMN:MN间实际电流密度;ρMN:测量电极MN间实际电阻率;JO:地下为均匀介质时,MN间的电流密度2、赋存在地下的电子导体,当其被地下潜水面所切割时,往往在其周围形成稳定的自然电场。因为潜水面以上是渗透带,由于靠近地表而富含氧气,即那里的溶液氧化性较强;相反,潜水面以下含氧较少,那里的水溶液相对来说为还原性。潜水面上、下水溶液性质的差异,通过自然界大气降水的循环总能保持。这样电子导体上、下部分总是分别处在性质不同的溶液中,因此在导体和溶液的界面上形成不均匀双电层,产生自然极化,并形成稳定的自然极化电场。3、一般情况:k=[-ω2με-

5、iωσμ]1/2;导电介质:k=[-iωσμ]1/2;空气中:k=[-ω2με]1/24、极化率:η=△U2/△U*100%;是反映某种物质激发极化性质的参数。视极化率:ηs=△U2/△U*100%;是地下介质不均匀时,各种地电体激发极化效应的综合反映,不代表某一种介质的激发极化效应。二、将围岩电阻率200Ωm和极化率为3%作为已知条件,利用视电阻率和视极化率公式计算由ηs=△U2/△U*100%可求出△U,求出△U后将其代入视电阻率公式ρs=k*△U/I,因ρs=200Ωm则I=k*△U/ρs,其中k=πAM*AN/MN,可求出。三、答:(1)曲线为H型;(2)S2=1/2

6、;(3)无变化,因为满足S2等价条件;(4)曲线尾枝渐近线与横轴交角为45°;(5)T(2)=ρ2(cthmh2+cth-1ρ3/ρ2)四、答:参考上课笔记(图略)回答:测量总场振幅和相位的方法称为振幅相位法,测量的量分别是总场振幅和总场相对一次场的相位;而测量总场实、虚部的方法称为实、虚分量法,测量的是总场实分量和总场虚分量。五、略六、(1)对;(2)错;(3)错;(4)错;(5)错七、答:当ρ2趋于∞时,电流只在第一层中流动,此时,电流只穿过半径为AB/2,高为h1的圆柱表面。电流密度可表示为:JMN=I/πrh1当地下为均匀介质时,距A为AB/2处的电流密度相当于半球面

7、的电流密度,即:J0=I/πr2,代入视电阻率微分公式,则有ρs=I/πrh1*πr2/I*ρMN=r/h1*ρMN=r/h1*ρ1,两边取对数,并取ρs=ρ1则有lgρ1=lgr-lgh1+lgρ1,得lgr=lgh1此式说明在双对数坐标中,ρs尾支渐近线与ρs=ρ1线相交,交点的横坐标值即为h1,证毕。(参见课件)成都理工大学《电法勘探》试卷2适用专业:勘查技术与工程一、   回答下列问题(20分)1、简述影响岩、矿石电阻率的因素有哪些?在电法勘探中主要考虑的是哪些因素?2、何谓理想导体?对理想导体

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