成都理工大学电法勘查模拟试卷

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1、成都理工大学《电法勘探》试卷1适用专业：勘查技术与工程一、回答下列问题(20分)1、 写出视电阻率微分公式，并说明式中各量的含义。2、 简述电子导体自然电场的形成过程。3、 写出传播系数k在一般情况、导电介质、空气中的表达式。4、 写出极化率和视极化率表达式，并说明二者的区别。二、计算题（15分）某工区已知围岩电阻率为200Ωm，极化率为3%，在进行激电中梯测量时，已知供电极距为1000m，测量极距为40m。为保证△U2不低于3mv，试估算至少需多大的供电电流？三、有如下地电断面（20分）求：（1）、绘出对称四极测深曲线,并确定曲线类型（2）、中间层纵向电导S2等于多少？ρ1

2、=100Ωmh1=30m（3）、当h2=5m，ρ2=10Ωm时，曲线有无变化？为什么？ρ2=20Ωmh2=10m（4）、若ρ3→∞时，曲线尾支将如何变化？绘出变化后的曲线。（5）、写出转换函数T2(m)表达式四、用相位三角形表示一次磁场、二次磁场和总磁场的相位关系，并指出，振幅相位法和实虚分量法所测的量是哪一个量？（20分）五、定性绘出下述地电断面上相应装置的视参数曲线。（10分）1、联剖装置ρs和ηs曲线。2、点源梯度E1x、E2x、ηs曲线B(－I)ρ1η1η1ρ2<<ρ1，η2>>η1η2>>η1六、判断下列各题。正确打（√），错误打（×）（10分）1、 正交点电阻率值

3、不一定小于背景值。（）2、 电阻率中梯装置适合于寻找直立的低阻薄脉和水平高阻薄板。（）3、 低阻体一定高极化，高阻体一定低极化。（）4、 实测一条K型视电阻率曲线，则表明地下一定是水平层状介质。（）*5、 瞬变电磁场的近区归一化参数U<<1是指收-发距小或t（τ）小。远区U>>1是指收-发距大或t（τ）也大。（）七、证明两层介质当ρ2→∞时，绘于双对数坐标中的水平二层电测深曲线尾支渐近线与ρs＝ρ1之水平直线相交，其交点的横坐标等于h1，并绘图表示。（5分）成都理工大学《电法勘探》试卷1（参考答案）适用专业：勘查技术与工程一、           回答问题（20分）1、ρs＝

4、JMN*ρMN/JO，ρs：视电阻率；JMN：MN间实际电流密度；ρMN：测量电极MN间实际电阻率；JO：地下为均匀介质时，MN间的电流密度2、赋存在地下的电子导体，当其被地下潜水面所切割时，往往在其周围形成稳定的自然电场。因为潜水面以上是渗透带，由于靠近地表而富含氧气，即那里的溶液氧化性较强；相反，潜水面以下含氧较少，那里的水溶液相对来说为还原性。潜水面上、下水溶液性质的差异，通过自然界大气降水的循环总能保持。这样电子导体上、下部分总是分别处在性质不同的溶液中，因此在导体和溶液的界面上形成不均匀双电层，产生自然极化，并形成稳定的自然极化电场。3、一般情况：k＝[-ω2με-

5、iωσμ]1/2；导电介质：k＝[-iωσμ]1/2；空气中：k＝[-ω2με]1/24、极化率：η＝△U2/△U*100%；是反映某种物质激发极化性质的参数。视极化率：ηs＝△U2/△U*100%；是地下介质不均匀时，各种地电体激发极化效应的综合反映，不代表某一种介质的激发极化效应。二、将围岩电阻率200Ωm和极化率为3%作为已知条件，利用视电阻率和视极化率公式计算由ηs＝△U2/△U*100%可求出△U，求出△U后将其代入视电阻率公式ρs＝k*△U/I，因ρs＝200Ωm则I＝k*△U/ρs,其中k=πAM*AN/MN，可求出。三、答：（1）曲线为H型；（2）S2＝1/2

6、；（3）无变化，因为满足S2等价条件；（4）曲线尾枝渐近线与横轴交角为45°；（5）T(2)=ρ2(cthmh2+cth-1ρ3/ρ2)四、答：参考上课笔记（图略）回答：测量总场振幅和相位的方法称为振幅相位法，测量的量分别是总场振幅和总场相对一次场的相位；而测量总场实、虚部的方法称为实、虚分量法，测量的是总场实分量和总场虚分量。五、略六、（1）对；（2）错；（3）错；（4）错；（5）错七、答：当ρ2趋于∞时，电流只在第一层中流动，此时，电流只穿过半径为AB/2，高为h1的圆柱表面。电流密度可表示为：JMN=I/πrh1当地下为均匀介质时，距A为AB/2处的电流密度相当于半球面

7、的电流密度，即：J0=I/πr2，代入视电阻率微分公式，则有ρs=I/πrh1*πr2/I*ρMN=r/h1*ρMN=r/h1*ρ1，两边取对数，并取ρs=ρ1则有lgρ1=lgr-lgh1+lgρ1，得lgr=lgh1此式说明在双对数坐标中，ρs尾支渐近线与ρs=ρ1线相交，交点的横坐标值即为h1，证毕。（参见课件）成都理工大学《电法勘探》试卷2适用专业：勘查技术与工程一、   回答下列问题（20分）1、简述影响岩、矿石电阻率的因素有哪些？在电法勘探中主要考虑的是哪些因素？2、何谓理想导体？对理想导体