集成电路分析与设计课程实验(一)

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1、华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-18集成电路分析与设计课程实验1（2010-03-18）熟悉Cadence设计软件中的SchematicEditing进行原理图编辑，并使用Spectre工具进行仿真验证。要求及说明：1.NMOS和PMOS晶体管的1级模型参数参考教材(拉扎维，P32)中表2.1，相应的Spectre模型为hquicmodel_v1.0.scs。2.假设VDD=3V，NMOS和PMOS器件的衬底端子（B，除非另有说明）分别接地和VDD（或最正的电压节点），（W/L）=50/2（即W=50u

2、，L=2u）。3.采用直流扫描（DCSweep，改变VX），画出IX和晶体管的跨导关于VX的函数曲线图。4.解释分析结果，比较仿真分析结果与你的手工计算结果。5.报告截止提交日期为2008年3月25日。题目：（参考拉扎维的模拟CMOS集成电路设计P34-35）2.5对图2.42的每个电路，画出IX和晶体管跨导(gm)关于VX的函数曲线。VX从0变化到VDD。2.6对图2.43的每个电路，画出IX和晶体管跨导(gm)关于VX的函数曲线。VX从0变化到VDD。I原理图绘制篇1.右键openTerminal华侨大学集成电路分析与设计

3、课程实验（1）2010-03-182.输入icfb&3.回车启动Cadence华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-184.Tools–LibraryManager…5.File-Library新建项目华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-186.输入建立的项目的名称-OK7.选择Don’tneedaTechfile-OK华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-188.File-CellView新建项目9.输入建立的子项目名称-OK华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）20

4、10-03-1810.输入器件按快捷键I华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-1811.选择Browse–analoglib-nmos4-symbol输入nmos器件12.在属性框里填写器件的模型和参数：模型名称：nmos、参数W=50uL=2u点Hide完成13.修改器件参数如果想修改器件参数，选择该器件后按快捷键q，可以在属性框里修改华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-1814.输入直流电源：快捷键I–analoglib–vdc–symbol15.放置直流电压源，如果放置位华侨大学集成

5、电路分析与设计课程实验（1）2010-03-18置不满意可以按快捷键m移动位置，移动到指定位置后按ESC退出华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-1816.修改电压源参数：按q,然后逐一修改17.输入接地符号GND18.按W进行连线华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-1819.CheckandSave请确认保存，不保存仿真无法正常进行II仿真验证篇华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-181.Tools–AnalogEnvironment启动模拟电路仿真环境ADE2.在A

6、DE中选择Setup-ModelLibraries华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-183.按浏览Browse选择我们需要的模型：hquicmodel_v1.0.scs-OK华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-184.Add-OK5.Analyses-Choose…6.选择DC–ComponentParameter华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-187.通过选择SelectComponent，选择需要进行参数扫描的电压源，然后在弹出页选DC项，OK或者自己手动在

7、ChoosingAnalyses中填写也行华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-188.填写DC扫描的起止值Start=0Stop=3OK9.选择输出节点波形OUTPUTS-ToBePlotted–SelectonSchhematic10.在原理图上选择输出节点波形，电压选连线华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010-03-18电流选器件的节点，我们需要器件电流，所以我们选择NMOS的漏端。11.设置完成后选择netlistandRun运行12.输出结果华侨大学集成电路分析与设计课程实验（1）2010

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