电力电子技术试卷(c)

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1、安徽机电职业技术学院《电力电子技术》期终考试卷（C）班级姓名学号题号一二三四五六得分得分得分评卷人复核人一、填空题（每空1分，共30分）1、双向晶闸管常应用于交流开关电路、交流调压电路和交—交变频电路中。2、直流电动机可利用整流器或斩波器获得可变的直流电源，对直流电动机电枢或励磁绕组供电，实现直流电动机的调速控制。3、电力二极管在电力电子电路中可作为整流、续流、隔离和保护等元件。4、某半导体器件的型号为KP50—7，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流为50A，7表示额定电压为70

2、0V5、整流器功率因数是变压器二次侧的有功功率与视在功率的比值。6、按整流电路的结构形式分有半波、全波和桥式整流电路。7、当变流器运行于逆变状态时，通常将α>90°时的控制角用β来表示，β称为逆变角；控制角α是以自然换相点作为计量起始点，由此向右方计量，β是从α=π的位置为计量起点向左方来计量。8、电力电子器件常用的冷却方式有自冷式/风冷式/液体冷却式和蒸发冷却式等。9、固态继电器是以双向晶闸管为基础构成的无触点通断电子开关，是一种四端有源器件，其中两个端子为输入、控制端，另外两个端子为输出受控端。

3、10、要使三相全控桥整流电路正常工作，需保证对两组中应同时导通的2个晶闸管均有触发脉冲，常用的方法有：宽脉冲触发和双窄脉冲locatedintheTomb,DongShenJiabang,deferthenextdayfocusedontheassassination.Linping,Zhejiang,1ofwhichliquorwinemasters(WuzhensaidinformationisCarpenter),whogotAfewbayonets,duetomissedfatal,when

4、nightcame《电力电子技术》试卷共4页第5页触发两种。11、按脉冲的极性来分，脉宽调制可为单极性调制与双极性调制。得分评卷人复核人二、选择题（每小题2分，共20分）1、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（　A　）A、700V　　　B、750V　　　C、800V　　　D、850V2、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。A、一个B、两个C、三个D、四个3、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是(  A  )

5、A、0°～90°   B、0°～180°C、90°～180°  D、180°～360°4、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关(  B  )A、α以及负载电流Id   B、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCC、α和U2                  D、α、U2以及变压器漏抗XC5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（D）。A、IGBTB、GTRC、MOSFETD、GTO6、三相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(C)A、    B、      C、

6、      D、7、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是(  D  )A、功率晶体管      B、IGBT       C、功率MOSFET      D、晶闸管8、晶闸管在电路中的门极正向偏压（B）愈好。A、愈大B、愈小C、不变D、愈稳定9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（B）。A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、GTO10、变流器必须工作在α（A）区域，才能进行逆变。A、＞90°B、＞0°C、＜90°D、＝0°得分评卷人复核人三、判断题（每小题1分，共10分）loca

7、tedintheTomb,DongShenJiabang,deferthenextdayfocusedontheassassination.Linping,Zhejiang,1ofwhichliquorwinemasters(WuzhensaidinformationisCarpenter),whogotAfewbayonets,duetomissedfatal,whennightcame《电力电子技术》试卷共4页第5页1、（F）电力电子器件是一种能够同时承受高电压和大电流的半导体器件。2、（T）常

8、用可控电力电子器件有3种电极。3、（T）三相全控桥式整流电路晶闸管承受的最高电压是U2。4、（F）单相半控桥式整流电路对触发电路的要求比单相全控桥式整流电路对触发电路的要求要复杂。5、（F）GTR是电压驱动型自关断器件。6、（T）缓冲电路包括关断缓冲电路和开通缓冲电路，关断缓冲电路抑制，开通缓冲电路抑制7、（F）电力电子电路中过电压保护电路是为了防止电网电压的升高而设置的。8、（T）直流斩波电路有降压斩波电路、升压斩波电路和升降压式斩波电路。9、（F）电力电子器件组成