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时间：2018-09-12
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1、电子技术基础(模拟篇)第一章半导体二极管一、单选题1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。A.左移，下移B.右移，上移C.左移，上移D.右移，下移2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。A.小于，大于B.大于，小于C.大于，大于D.小于，小于3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（）A.B.C.D.4.下列符号中表示发光二极管的为（）。5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足()。A.ID=0B.IDIZMC.IZ>ID>IZMD.IZ2、半导体中（）的浓度对温度敏感。A.少子B.多子C.杂质离子D.空穴7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A.0B.死区电压C.反向击穿电压D.正向压降8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶体缺陷9.PN结形成后，空间电荷区由（）构成。A.电子和空穴B.施主离子和受主离子C.施主离子和电子D.受主离子和空穴10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。A0.1VB0.2VC0.5VD0.7V11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程3、时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。A.直流，相同，相同B.交流，相同，相同C.直流，不同，不同D.交流，不同，不同12.在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。７３AUth≈0.525V，IS≈0.05pABUth≈0.525V，IS≈0.2pACUth≈0.475V，IS≈0.05pADUth≈0.475V，IS≈0.2pA二、判断题1.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）2.二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。（）3.二极管在工作频率大于最高4、工作频率fM时会损坏。（）4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。（）5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（）三、填空题1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。4.在本征半导体中掺入价5、元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。5.PN结在时导通，时截止，这种特性称为。6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。12.PN结正偏是指P区电位N区电6、位。13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。14.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。16.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。18.PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。19.发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。20.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。７３四、计算分析题1.电路如图（a）、（b）所示7、，稳压管的稳定电压UZ＝4V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。2.已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝3mA，最大值IZM＝20mA，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，UO1和UO2各为多少伏。3.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压Uo。设二极管的导通压降为0.7V。4.已知稳压管的稳定电压UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA，最大功耗PZM=150mW。试求稳压管正常工作时电阻R的取值范围。７３5.如图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝8、1V，正常工作时要求正向电流为5～15mA。试问：（1）开关S在什么位置时发光二
2、半导体中（）的浓度对温度敏感。A.少子B.多子C.杂质离子D.空穴7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A.0B.死区电压C.反向击穿电压D.正向压降8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶体缺陷9.PN结形成后，空间电荷区由（）构成。A.电子和空穴B.施主离子和受主离子C.施主离子和电子D.受主离子和空穴10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。A0.1VB0.2VC0.5VD0.7V11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程
3、时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。A.直流，相同，相同B.交流，相同，相同C.直流，不同，不同D.交流，不同，不同12.在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。７３AUth≈0.525V，IS≈0.05pABUth≈0.525V，IS≈0.2pACUth≈0.475V，IS≈0.05pADUth≈0.475V，IS≈0.2pA二、判断题1.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）2.二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。（）3.二极管在工作频率大于最高
4、工作频率fM时会损坏。（）4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。（）5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（）三、填空题1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。4.在本征半导体中掺入价
5、元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。5.PN结在时导通，时截止，这种特性称为。6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。12.PN结正偏是指P区电位N区电
6、位。13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。14.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。16.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。18.PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。19.发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。20.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。７３四、计算分析题1.电路如图（a）、（b）所示
7、，稳压管的稳定电压UZ＝4V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。2.已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝3mA，最大值IZM＝20mA，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，UO1和UO2各为多少伏。3.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压Uo。设二极管的导通压降为0.7V。4.已知稳压管的稳定电压UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA，最大功耗PZM=150mW。试求稳压管正常工作时电阻R的取值范围。７３5.如图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝
8、1V，正常工作时要求正向电流为5～15mA。试问：（1）开关S在什么位置时发光二
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