2单片机io口控制实验实验报告new

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1、单片机IO口控制实验一、实验目的1、熟悉MCS-51的I/O结构；2、掌握MCS-51I/O的使用方法；3、掌握MCS-51的中断机制。二、实验原理1、MCS-51单片机的硬件结构片内结构：2、内部数据存储器（字节地址为00H~0FH）：1、SFR的名称及其分布：2、I/O端口地址：3、P0～P3端口功能总结：（1）P0～P3口都是并行I/O口，但P0口和P2口，还可用来构建系统的数据总线和地址总线，所以在电路中有一个MUX，以进行转换。而P1口和P3口无构建系统的数据总线和地址总线的功能，因此，无MUX。P0口的MUX的一个输入端为“地址/数据”信号。P2口的MUX的一个输入信号为“地址”信

2、号。（2）在4个口中只有P0口是一个真正的双向口，P1～P3口都是准双向口。原因:P0口作数据总线使用时，需解决芯片内外的隔离问题，即只有在数据传送时芯片内外才接通；不进行数据传送时，芯片内外应处于隔离状态。为此，P0口的输出缓冲器应为三态门。P0口中输出三态门是由两只场效应管（FET）组成，所以是一个真正的双向口。P1～P3口，上拉电阻代替P0口中的场效应管，输出缓冲器不是三态的－准双向口。（3）P3口的口线具有第二功能，为系统提供一些控制信号。因此P3口增加了第二功能控制逻辑。这是P3口与其它各口的不同之处。1、P0口结构及特点：⑴P0口结构与运作1个输出锁存器，用于进行输出数据的锁存；2

3、个三态输入缓冲器，分别用于锁存器和引脚数据的输入缓冲；1个多路开关MUX，它的一个输入来自锁存器，另一个输入是地址/数据信号的反相输出。在控制信号的的控制下能实现对锁存器输出端和地址/数据线之间的切换；由两只场效应管组成的输出驱动电路。⑵P0口的特点P0口是一个双功能的端口：地址/数据分时复用口和通用I/O口；具有高电平、低电平和高阻抗3种状态的I/O端口称为双向I/O端口。P0口作地址/数据总线复用口时，相当于一个真正的双向I/O口。而用作通用I/O口时，由于引脚上需要外接上拉电阻，端口不存在高阻（悬空）状态，此时P0口只是一个准双向口；为保证引脚上的信号能正确读入，在读入操作前应首先向锁存

4、器写1；单片机复位后，锁存器自动被置1；一般情况下，如果P0口已作为地址/数据复用口时，就不能再用作通用I/O口使用；P0口能驱动8个TTL负载。2、P1口的结构及特点：⑴P1口结构与运作一个数据输出锁存器，用于输出数据的锁存；两个三态输入缓冲器，BUF1用于读锁存器，BUF2用于读引脚；数据输出驱动电路，由场效应管VT和片内上拉电阻R组成。⑵P1口的特点P1口由于有内部上拉电阻，没有高阻抗输入状态，所以称为准双向口。作为输出口时，不需要再在片外拉接上拉电阻；P1口读引脚输入时，必须先向锁存器写入1，其原理与P0口相同；P1口能驱动4个TTL负载。1、P2口结构及特点：⑴P2口结构与运作一个数

5、据输出锁存器，用于输出数据的锁存；两个三态输入缓冲器，BUF1用于读锁存器，BUF2用于读引脚；一个多路开关MUX，它的一个输入来自锁存器的Q端，另一个输入来自内部地址的高8位；数据输出驱动电路由非门M，场效应管VT和片内上拉电阻R组成。⑵P2口的特点P2口用作高8位地址输出线应用时，与P0口输出的低8位地址一起构成16位的地址总线，可以寻址64KB地址空间。当P2口作高8位地址输出口时，其输出锁存器原锁存的内容保持不变。作为通用I/O口使用时，P2口为准双向口，功能与P1口一样。P2口能驱动4个TTL负载。1、P3口结构及特点：⑴P3口结构组成一个数据输出锁存器，用于输出数据的锁存；3个三态

6、输入缓冲器，BUF1用于读锁存器，BUF2、BUF3用于读引脚和第二功能数据的缓冲输入；数据输出驱动电路，由与非门M，场效应管VT和片内上拉电阻R组成。⑵P3口的特点P3口内部有上拉电阻，不存在高阻输入状态，是一个准双向口；P3口作第二功能的输出/输入或作通用输入时，均需将相应的锁存器置1。实际应用中，由于复位后P3口锁存器自动置1，已满足第二功能运作条件，所以可以直接进行第二功能操作；P3口的某位不作为第二功能使用时，则自动处于通用输出/输入口功能，可作为通用输出/输入口使用；作通用输出/输入口使用时，输入信号取自缓冲器BUF2的输出端，作第二功能使用时，输入信号取自缓冲器BUF3的输出端；

7、P3口能驱动4个TTL负载。10、IO口锁存器操作：IO口锁存器值与IO口值不一定一致，应采用读锁存器-修改-写锁存器来进行IO控制。11、MCS-51的中断系统：单片机能及时地响应和处理单片机外部事件或内部事件所提出的中断请求。对事件的整个处理过程，称为中断处理（或中断服务）。12、五个中断请求源：（1）INT0*—外部中断请求0，由引脚INT0*输入，中断请求标志为IE0。（2）INT1*—外