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1、开关型霍尔传感器介绍召万民‘沈柞华,,。开关型霍尔传感器是磁敏器件中的一个大类它的用途很广是一种很有前途的器件我厂生产的!!∀系列集成开关式霍尔效应传感器是目前国际上较为先进的一种开关式磁,、。敏器件是无触点无磨议的较理想的磁甩特佚器件#。、!!!系列是仿照美国∃%&∋够公司()∗!!∀系列开关形式包括单稳态双稳态和单。、、、、端变为双端输出等形式我厂目前的典型产品包括∀+∋∀,∀∀−。!.#、。/娜!.0#1!2和1!1等‘这里我们着重介绍∀.#双稳态型霍尔开关传感器、一!.岛双稳态3锁键型4哭尔传感器介绍25基本特点677
2、二5。324工作电源电压范围大3−#6一1理64,,。314可靠性好抗干扰能力强3双稳态型仅需一般磁环就能使其工作45,,。34体积小使用方便温度特性好、、。3−4兼容性强3可直接与8999:9和;∀等电路兼容45<汗。1外形与电极引出端列图3见图2一1一2和图2一1一14。/“!.#基本工作原理=324框图3见图2一1一4/!.外形图电极引出端排列图图2一1一2图2一1一1图?一1一∀了#功能框图314>.#的基本工作过程,,,:在磁场作用下根据霍尔效应原理霍尔发生器就会有一个霍尔电势6:输出该6经,。,放大器放大后送至施密特整形器由于#!.
3、#的施密特整形器为双稳态型所以当6:经“开启”阂值时3当外加磁场强度典型值ΑΒ2/,‘放大器放大后的电压值大于≅!)时4施密特整形器就翻转,它的输出高电平经驱动使输出晶体管导通,且有吸收#!ΧΔ电流的负载能,“”。,力我们称这种状态为开当器件处于反向磁场中时霍尔发生器产生一个负的霍尔电6,、,同“”势样当经放大器放大后的电压值小于施密特整形器的关闭阂值时3其典型值为一2!,,,“”。)4施密特整形器再一次翻转输出晶体管截止这时我们称其为关态这样“”、“”,。一次正反磁场变换使/!.#完成了一次开关动作#,一从上面简单原理介绍中可以看到!.#作为双稳态型开关型
4、霍尔传感器在乒用上是方,它与其他单稳态开关型霍尔传感器不同之处在于Ε#!.#便的状态翻转必要条件是外加,。磁场的极握必须相反而单稳态霖尔传感器的翻转仅取决宁磁场的强瑞−一/Φ,!.#基本线路介绍522一.“几讯砂枷<%Γ几卜%:华,、+ΙΗ见Γ一++玩冷2·‘“%ϑ%渗勺图2一1一−!.#线路原理图、、、!.#是由稳压器霍尔电势发生器差分放大器施密特整形器和。Κ门输出等五个。基本部分组成3参见图2一1一劝324稳压器,、,、、9‘、0、。稳压器是由99999和叫一一‘升.、,、Τ岭气咬石母9七个晶体管及瓦ΣΣ和Σ四个电阻组。成3见图+一1一#4∀.#
5、的内部稳压器给整个电路提供了Ν,一个稳压电位ΣΟ)使电路的工作电位不随6。,苦电源电压ΥΥ而变因此#!.#的电源电琳艺才−二5,亿压范围很宽3ΝΥΥ通6一1−64给不同的应用带来了方便。一6Ε稳星电位ΣΟ)的计算如下!1、7。。ΤΕ、−设2Λ和Λ分别为晶体管99和92一1#图一ΤΝ9为温度的电压当量,则有Ε的发射极电流一一7Μ‘7Ε二7ΤΤΛ−ΑΛ3Ν≅ΟΡΝΗ’,4ΛΛςΩ一6≅ΟΡ69,、≅Ο‘二ΝϑΠΘ372#,Ν≅一%ΛΘ3Λ”2∀+7冬4ΝΛ“4助夕Ρ,“Θ−7一Θ。7ΕΘ’−。、,Ν又%ΑΝ≅Ο−一Ν≅Ο&ΕΝ%32Λ4Ν创3Λ7Ρ2!+4二
6、Ν9Λ3工!2ΡΛ4,了<一Σ,Σ,一二53夕9Σ,4〕八、3+∀+7‘Λ7。4Λ忍澎ΝΡΡΡ一ΞΕ一7,‘Σ,一,Ε9ΛΤ7Ν尽Λ3ΣΡΣ46介吟2!2户ΡΛ46ΣΟ)ΑΝ&Ο,十6≅Ο,Β6ΣΕΑ6≅ΟΒ3ΣΕΣΕ9ΙΘ7−Λ71Ρ4632!+Ρ4,‘ΣΟ)一,Ν≅Ο‘·丫ΝΣΟ)一Ν≅Ο,Η7其中ΕΕΣΣ,·’一‘,Ο)车】砂眨Ν邓),Ψ≅Ο4州护吟补鉴3ΝΣΟ∀一1Ν≅Ο4聋2、5Τ·产9和9的前向压降式中Λ7为饱和电流ΤΛ、≅基Ν≅ΟΖ和柳吟卿示妇斌。≅ΟΕΑΝ≅[Ε4,ΣΟ)3且设ΝΝ为参考准电压、一Ε,6ΣΕΣΕ、,Υ从上式计算中可以看到参考电位Σ
7、Ο眨仅与电阻凡有关而与电源电乐6Υ。,。5。无关当Ν≅Ο与电阻值不变时6ΣΟ)即为一常数∀.#的6ΣΟ)设计在−6左右314霍尔电势发生器霍∗,,尔电势发生器是在型材料硅外延层上制作的根据前文所述的霍尔效应原理电压ΝΕ驱动型的霍尔电势:有6。一卜≅Ζ一粤妇‘‘ΞΞ5,ΞΞ55ΞΞ55‘5‘ΞΞ5‘,ΞΞ<ΞΞ]乙∴二其中万乡协ΤΝ、双“一是崔尔发生器的儿何尺寸长与览之比为载流于的迁样举即记压吧仪Κ’』副。≅是外加磁场强度⋯,。由于一般电子迁移率大于空穴迁移率所以我们选用∗型半导体材料硅制作霍尔发生器55ΞΞ5Ξ、5Ξ,5Ξ5、、、、ΞΞΞΞΞΞ二ΞΞΞΞΞ。Ξ
8、,、∴Ξ二
