基于cmos工艺的高压mosfet研究

基于cmos工艺的高压mosfet研究

ID:17848475

大小:1.97 MB

页数:62页

时间:2018-09-07

基于cmos工艺的高压mosfet研究_第1页
基于cmos工艺的高压mosfet研究_第2页
基于cmos工艺的高压mosfet研究_第3页
基于cmos工艺的高压mosfet研究_第4页
基于cmos工艺的高压mosfet研究_第5页
资源描述:

《基于cmos工艺的高压mosfet研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、摘要摘要题目:基于CMOS工艺的高压MOSFET研究研究生:李红征导师:于宗光教授专业:微电子学与固体电子学随着集成电路制造工艺水平的提升,系统集成度越来越高,智能功率集成电路得到了日益广泛的应用,功率集成电路将工作电压高低不同的功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上,具有开关特性好、功耗小等优点。本课题设计的高压MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)是与标准CMOS(ComplementaryMetal.Oxide—Semiconductor)工艺兼容的。论文中讨论了常见的高压器件结

2、构与隔离方法,以及关键的高压器件参数,分析了影响MOS器件击穿电压的因素,并针对基于标准CMOS工艺的几种结构进行了分析和研究。分析了常见高压器件与标准CMOS工艺的兼容性以及相应的工艺改造方案,设计了与标准CMOST艺兼容的高压MOS器件结构,在中电58所成熟的1.5pm5VCMOS工艺的基础上,提出高压MOS器件的结构及版图设计方法。对双扩散(DDD=DoubleDiffusedDrain)高压MOSFET、SVX(SmartVoltageeXtension)高压MOSFET结构进行流片实验,根据实际器件参数测试结果,优化调整版图结构和工艺参数使之作为新

3、增工艺模块,整合到原有工艺中,并尽量保持低压器件的原有特性。最终根据以上工作得到1.5pm5V/12V兼容CMOS工艺的设计规则,并将其应用到LCD(Liquid-CrystalDisplay)显示驱动系列电路的实际生产中,取得了可观的经济效益。关键词:高压MOSFET,CMOS工艺,双扩散MOSFET,SVXMOSFET江南大学硕士学位论文面tle:Name:Tutor:Major:AbstractHi曲·VoltageMOSFETsBased011CMOSProcessesLiHong-zhengProf.YuZong-guangMicroelectro

4、nicsandsolid.stateelectronicsTheincreasingintegrationdensityofVLSI(Very-Large-Scale-Integrated)circuitsandthelow-powerrequirc-mentsofcomplexsignalprocessingapplications,forcethecontinuousreductionofthepowersupplyvoltagesinmodemICs(IntegratodCircuits).Whilethelow-voltageCMOS(Complem

5、entaryMetalOxideSemiconductor)technologiesimplementingtheseICsareoptimizedforspeed,minimumpowerconsumptionandmaxinlumintegrationdensity,theycannotmeettherequirementsofsystemapplicationswhereHigh-voltagecapabilitiesareneeded.WhenelectronicsignalprocessinginvolvesHigh-voltageand/orhi

6、gh-current,differentsolutionsarepresentedaccordingtothepowerleveloftheapplication.Inpresentdissertation,anintroductionofseveralnormalHigh-voltageICstructures,alsoanalysisandresearchofstructureswhicharecompatiblewithconventionalCMOStechnologieswerecarriedout.11Iecompatibilitybetween

7、High-voltagetechnologyandconventionalLow-voltagetechnologyandthemodificationtoLow-voltagetechnologywasdiscussed.Basedona1.51an5VCMOStechnology,High-voltageprocesseswereintegratedintoitasnowprocessmodules.Processparametersweredefinedbywafer-test.DeviceparametersofLow-voltagedevicesw

8、orekeptunchangedasmuchaspo

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。