电子技术基础作业答案

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1、电子技术基础作业答案　　电子技术基础会出什么样的题型呢？考什么内容呢？下面是小编为大家收集整理的电子技术基础作业相关内容，欢迎阅读。　　1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。　　2、三极管的内部结构是由区及结和结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。　　3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的

2、方向有利于；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。　　4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。　　5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒

3、相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。　　6、单极型晶体管又称为沟道和沟道。　　7、稳压管是一种特殊物质制造的接触型二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。　　1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。　　2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。　　3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。　　　5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能

4、力。　14、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。　　6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。　　7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。　　8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。　　9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。　　10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。　　1、单极型半导体器件是。　　A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。　　2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的元素构成的。　　A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。　

5、　3、稳压二极管的正常工作状态是。　　A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。　　4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管　　。　　A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。　　5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是而成。　　A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。　　6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝，VB＝，VC＝，　　说明此三极管处在。　　A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。　　7、绝缘栅型场效应管的输入

6、电流。　　A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。　　8、正弦电流经过二极管整流后的波形为。　　A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。　　9、三极管超过(C）所示极限参数时，必定被损坏。　　A、集电极最大允许电流ICM；B、集—射极间反向击穿电压UCEO；　　C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的电流放大倍数。　　10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是　　A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；　　C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。　　1、N型

7、半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？　　答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。　　2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。　　答：管脚③和管脚②电压相差，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③

8、的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。　　3、已知E=5V，ui=10sinωtV，　　二极管为理想元件，试画出u0的波形。　　答：分析：根据电路可知，当ui>E时，二极管导通u0=