《模拟电子技术基础》习题参考答案

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1、《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。6.晶体三极管的集电极电流Ic=βIB所以它是电流控制元件。7.工作在放大

2、区的晶体管，当IB从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发

3、射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。共基极电路比共射极电路高频特性好。14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。17

4、.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。18.为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。为稳定交流输出电压，采用电压负反馈，为了提高输入电阻采用串联负反馈。1.负反馈使放大电路增益下降，但它可以扩展通频带，减少失真。2.负反馈放大电路产生自激振荡的幅值平衡条件是，1.相位平衡条件是△фAF=±（2n+1）π其中n=整数。3.反馈系数F=Xf/Xo；反馈深度是1+AF。4.在差动放大电路中，若Ui1=20mV,Ui2=0mV，则电路的差模输入电压为20

5、mV，共模输入电压为10mV。5.差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。6.衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最主要指标是共模抑制比（KCMR）。7.按照通带与阻带的相相互位置不同，有源滤波电路通常可分为以下几类低通滤波器(LPF)、高通滤波器(HPF)、带通滤波器(BPF)、带阻滤波器(BEF)和全通滤波器(APF)。8.乙类功率放大器在理论上最高效率为78.5%，它存在的主要问题是交越失真。9.低频功率放大电路常采用乙类工作状态来降低管耗，提高输出功率和效率。10.整流电路的目是将交流变为直流。11.OC

6、L电路是双电源互补功放，OTL是单电源互补功放。12.在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是√2U2。一、选择题：1．P型半导体中的多子是(B)。A．负离子B．空穴C．正离子D．电子2.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）。A.电子B．空穴C．三价硼元素D．五价磷元素3.P型半导体是在本征半导体中加入（C）物质后形成的A．电子B.空穴C.三价硼元素D.五价磷元素4.PN结加正向电压时，其正向电流是由（A）的。A．多数载流子扩散而成B．多数载流子漂移而成C．少数载流子扩散而成D．少数载流子漂

7、移而成5．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为(B)。A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏B．前者正偏、后者也正偏D．前者反偏、后者正偏6．在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为UBQ=-3.3V，UCQ=-6V，UEQ=-3.1V，则这只三极管是(D)。A．NPN型硅管B．NPN型锗管C．PNP型硅管D．PNP型锗管7.测得三极管各电极对地的电位分别为VC=6V，VB=-0.6V，VE=0V,该三极管工作状态为(B)。A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态8.某放大电

8、路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V，1.3V,1V,则这只三极管是（B）。A.NPN型的硅管B.NPN型的锗管C.PNP型的硅管D.PNP型的锗管9.共集电极放大电路（射极输出器）的主要特点是(C)。A.电压放大倍数小于1，输入电阻小、输出电阻大B.电压放大倍数大于1，输入电阻小、输出电阻大C.电压放大倍数小于1，输入电阻大、输出电阻小D.电压放大倍