SJT11226-2000电子元器件详细规范3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管.pdf

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1、ICS31.080.30L42备案号:7559一2000中华人民共和国电子行业标准SJ/T112262000电子元器件详细规范3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管DetailspecificationforelectroniccomponentsType3DA505Lbandsiliconpulsepowertransistor2000-08-16发布2000-10-01实施中华人民共和国信息产业部发布前言本规范是按照GB/T7576-1998《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型品体管空白详细规范》(idtIEC747

2、-7-4:1991)标准制订的，符合GB/'r4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》(idtIEC747-10:1984)和GBa12560-1999《半导体器件分立器件分规范))(idtIEC747-11:1996)的11类要求。本规范由信息产业部电子工业标准化研究所归口。本规范起草单位:信息产业部电子工业标准化研究所。本规范主要起草人:赵英、顾振球。中华人民共和国电子行业标准电子元器件详细规范3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管SJ/T11226-2000Detailspecificationforelectroniccom

3、ponents介pe3DA505Lbandsiliconpulsepowertransistor本规范适用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GBIT7576-1998《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》标准制订的，符合GBrr4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》的ii类要求。本规范引用的标准有GB/T4587-1994《半导体分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管N.GB/T4589.1-1989《半导体

4、器件分立器件和集成电路总规范》、GB/T4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》和GJB128A-97《半导体分立器件试验方法》。中华人民共和国信息产业部2000-08-16发布2000-10-01实施一t一SJ/T11226-2000中华人民共和国信息产业部评定电子元器件质量的依据:GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》Si厅11226-2000GB/P12560-1999《半导体器件分立器件分规范》3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管详细规范订货资料:见本规范第7章。1.机械说明2.简要说明外形图:L波段脉

5、冲功率晶体管见本规范1。之。晶体管:NPN半导体材料:Si封装:空腔引出端识别:用途:雷达、航空管制见本规范10.2.3.质童评定类别11类参考数据标志介(L2-1.4)GHz;见本规范第6章.彻脉冲输出功率):220W;如Ell):10^-100;Go:7.4dB.按详细规范鉴定合格的器件其有关制造厂的资料，见合格产品一览表.4极限值(绝对最大额定值)除非另有规定，这些极限值适用于整个f作温度范围。数值条号参数名称符号单位最小值最大值4.1管壳温度Tcau200.C4.2贮存温度Tstg-65200.C4.3最高集电极一基极电压VCBO65V4.5

6、最高发射极一基级反向电压VEBO3V4.6最大集电极电流IC7.5A4.9】耗散功率”Pco;66W4.9.2最高有效结温Tvi2000C注:I)降额曲线见功.1.SJ/T11226-20005电特性(检验要求见本规范第8章)特性和条件数值试验条号除非另有规定，Tease250C符号单位最小值最大值分组(见GB/T4589.1第4章)5.1正向电流传输比F21E(I)10100A26VCE=SV,IC=3人5.4.1集成极一基极截止电流ICBOfI)10mAAlbVCB=40V,IE=05.5.1高温下集电极一基极截止电流ICBO(2)100tnAC

7、26几mb=1500C,VCB=40V5石最高集电级一发射极饱合电压吮Esat1.0VA3佗=3A,伯二。3A5.7最低脉冲输出功率尸p220WAlb最低功率增益Gp7.4dBA2bVCC=40V,户(1.2--1.4)GHzt,1501is,o-10%,P;=40W5.8最低总效率trtt,t501AlbVCC=40V,户(1.2-1.4)GHz,t,150,ts,D=10i,P,=40W5.11热阻R(th)i,2.7K/WC2dVCE=12V,TC=4A,tw3ims250C

8、(见10.2):—型号名称、质量评定类别;—生产厂所标志;—检验批识别代码。6.2在初始包装上的标志除引出端