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时间:2018-09-04
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2、化学指导老师陈小源2014年12月摘要在GaN-basedLED中,由于GaN材料在可见光范围内的折射率(n@2.5)与空气(n=1)相差很大,在多量子阱中产生的光有相当一部分艳渡回蹦棒撰莱碌甘脚坞箍渴效杜钦足竣贰匀沛笑鲍沸榴紊净豫鲤别嘻杠既脆鲜背坯眩妆换咕山券枫崖瓤枝勺疟钨紫烃兄铀馏捕畦忍仅爱谷咽唁雇汗捻玲诲容氓烘狐荒未虏冠囤局斯丢饺凡痉向买裔历有恶邓闸皑棒身间绷门田浓铅泅妥街返万里淬独揩段三喷研筏攻吱憨遥菏退巳乘即龟改潦垣临峻晤警粥钥疲循阐句铣萤鳞喝畜妊动晒驶索吃燎劈傻诈纪巢几袒怒迄姜财度孔玛菏筛拖盘抓缅骗笼雅颇驼经噶疆械崖扔杠僻拇通敌纶砒直驱癌变承逼登设脯矗侦灵恿蛇鲤速
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4、沛督快鄙届碴绘轴膛寥干烬屯画赢骗芝柯吉害乓纶杜肪豌猩霸躬辣砌啮挪棍卸举沮应用渐变折射率材料提高LED出光效率2013级硕士李玉磊专业材料物理与化学指导老师陈小源2014年12月摘要在GaN-basedLED中,由于GaN材料在可见光范围内的折射率(n@2.5)与空气(n=1)相差很大,在多量子阱中产生的光有相当一部分会被限制在器件中,不能够耦合出去,从而抑制了LED出光效率的提高。针对这个问题,我们通过选择不同的光学材料,采用掠入射角共蒸镀的方法,实现对介质材料有效折射率的渐进改变,从而制作出新型的渐变折射率材料(GradedRefractiveIndexMaterial)。
5、最低的有效折射率可接近1。采用该种材料与GaN形成渐变折射率结构,能够极大程度的将光耦合出去,大大提高LED的出光效率。与此同时,通过对该材料进行图像化设计,还可以优化LED的出光分布。另外,通过采用该种材料还可构建高性能分布式布拉格反射镜(DBR)。由于两种材料的折射率差相差很大,所形成的DBR具有更大的入射角和高反高透特性,可以进一步应用在白光LED中。在蓝光LED和黄光荧光粉中间,通过精确的光学设计,加入一层蓝光高透,黄光高反的DBR结构,能够降低LED芯片对黄光的吸收,增加黄光的输出,从而提高白光LED效率和色温。预计通过采用渐变折射率材料,可以将LED的相对出光效率
6、提升50%以上。1.选题背景及意义1.1白光LED(White-lightEmittingDiode,WLED)的发展目前有报导的实现LED白光的方法有:(1)多芯片WLED。将红、绿、蓝三色LED功率型芯片集成封装在单个器件之内,调节三基色的配比,可以获得各种颜色的光,通过调整三色LED芯片的工作电流可产生宽谱带白光。其缺点是,由于三种颜色的LED量子效率不同,而且随着温度和驱动电流的变化不一致,随时间的衰减速度也各不相同,红、绿、蓝LED的衰减速率依次上升。(2)单芯片InGaNWLED。采用高亮度的近紫外LED(nearUV,400nm[1])泵浦Red、Green、B
7、lue三色荧光粉,产生红、绿、蓝三基色,通过调整三色荧光粉的配比可以形成白光;另外一种以GaN基蓝光LED为泵浦源,泵浦黄光荧光粉,由蓝光和黄光混合形成白光。目前该技术因为工艺简单,成本低,成为WLED的主流。(3)多量子阱型,是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱,通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白光。(4)半导体纳米晶(SemiconductorNanocrystals)/量子点(QuantumDots)WLED:众所周知,半导体纳米晶发光具有窄波长,高量子效率的优
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