电力电子器件原理与设计

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1、[GeneralInformation]书名=电力电子器件原理与设计作者=杨晶琦编著页数=265SS号=10901000DX号=000000015717出版日期=1999年09月第1版出版社=国防工业出版社封面书名版权前言目录目录第一章电力电子器件的发展概况1.1双极功率晶体管1.2晶闸管与可关断晶闸管（GTO）1.3MOS控制晶闸管（MCT）1.4功率MOSFET1.5绝缘栅双极晶体管（IGBT）1.6静电感应晶体管（SIT）与静电感应晶闸管（SITH）1.7功率集成电路（PIC）1.7.1高压集成电路（HVIC）1.7.2智能功率集成电路（S

2、PIC）参考文献第二章巨型晶体管（GTR）2.1达林顿晶体管2.1.1简单级连达林顿晶体管2.1.2实用功率达林顿晶体管2.1.3功率达林顿晶体管中的电阻2.1.4R1阻值与Ib、Icm的关系2.1.5R1、R2电阻阻值对器件开关特性的影响2.2功率达林顿器件的版图设计方法2.3功率达林顿器件的纵向结构与参数设计2.3.1高阻层厚度及电阻率的确定2.3.2结深的控制原则2.3.3基区表面浓度与次表面浓度对器件性能的影响2.4功率达林顿晶体管的特性曲线2.5GTR模块及其特点2.6GTR的芯片设计2.6.1发射区图形的设计2.6.2GTR芯片内部各

3、管面积的分配及布局2.6.3GTR芯片内部电阻R1～R3的设计2.6.4芯片设计中电阻对GTR性能影响的定量分析2.7GTR的结构设计2.7.1GTR的内部结构2.7.2GTR的外部结构2.7.3GTR的电路结构2.7.4GTR模块的热阻2.8GTR模块的并联使用2.8.1均流2.8.2并联使用GTR习题与思考题参考文献第三章晶闸管与GTO3.1晶闸管的结构及工作原理&.3.2晶闸管的主要参数及性能3.2.1晶闸管的主要参数及意义3.2.2晶闸管的di/dt、dv/dt耐量3.2.3晶闸管的功率损耗3.3晶闸管的派生器件3.3.1几种主要派生器件

4、简介3.3.2双向晶闸管3.3.3光控晶闸管3.4GTO的结构及最新技术概况3.5GTO的电特性与基本工作原理3.5.1GTO的导通特性3.5.2GTO的关断特性3.5.3GTO的主要参数3.6门极关断能力及再导通机理的分析3.6.1影响ITM的主要因素3.6.2GTO再导通机理的分析3.7大容量GTO的设计与制造3.7.1耐压设计3.7.2a1与a2的设计3.7.3电流集中现象与阴极图形3.8GTO的改进3.8.1高频双栅GTO3.8.2高频逆导GTO习题与思考题参考文献第四章MOS控制晶闸管（MCT）4.1MCT的结构及工作原理4.2MCT关

5、断能力的分析4.2.1三种自关断器件的比较4.2.2MCT的关断机理4.2.3MCT的关断条件4.3MCT的设计方法4.3.1主要电学参数的设计4.3.2元胞和器件的结构设计4.3.3工艺设计4.4MCT器件的改进与发展4.4.1双横向MOS控制晶闸管（BMCT）4.4.2耗尽型MOS控制晶闸管（DMT）4.4.3发射极开关晶闸管（EST）4.4.4基区电阻可控晶闸管（BRT）习题与思考题参考文献第五章功率MOSFET5.1功率MOSFET的种类5.1.1高压LDMOSFET5.1.2VVMOSFET5.2高压VDMOS器件的结构及工作原理5.2

6、.1器件结构及原理5.2.2VDMOS器件的特点5.3高压VDMOS器件的主要电学参数5.3.1导通电阻Ron5.3.2漏源电流IDS5.3.3漏源击穿电压BVDS5.3.4阈值电压Vth5.4高压VDMOS器件的设计方法5.4.1高压VDMOSFET的版图设计5.4.2功率VDMOSFET的纵向结构及工艺设计5.5功率VDMOSFET的设计考虑5.5.1寄生电容的设计考虑5.5.2大面积化的设计考虑5.5.3功率VDMOSFET的安全工作区习题与思考题参考文献第六章绝缘栅双极晶体管（IGBT）6.1IGBT器件的结构及工作原理6.2IGBT器件

7、的特性6.2.1IGBT器件的开关特性6.2.2IGBT器件的功率损耗特性6.3IGBT器件的闭锁效应6.3.1产生闭锁的条件6.3.2闭锁特性的理论分析6.4提高抗闭锁能力的具体措施6.4.1减小短路电阻RS16.4.2背面定域P+扩散法与阳极短路法6.4.3加一薄的N+缓冲层6.4.4控制少数载流子寿命6.4.5选择合理的栅源结构6.5几个关键参数之间的折衷方案6.5.1开关速度和正向压降的最佳化6.5.2正向压降分别与阻断电压和闭锁电流的折衷关系6.5.3阻断电压和开关速度的折衷关系6.6IGBT器件的版图形式及优化设计6.6.1元胞的种类

8、6.6.2元胞图形的优化设计6.7IGBT器件的纵向结构及相关工艺6.7.1IGBT器件的纵向结构及终端形式6.7.2IGBT器件的相关