电力电子技术试题及答案

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1、《电力电子技术》试卷答案一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR  ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT是  MOSFET和  GTR  的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是   要有足够的驱动功率 、    触发脉冲前沿要陡幅值要高    和  触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑　均流 的问题，解决的方法是   串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出

2、电压波形为 正弦波  ，输出电流波形为　 方波?。5、型号为KS100-8的元件表示   双向晶闸管 晶闸管、它的额定电压为  800V  伏、额定有效电流为  100A  。6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 同一桥臂 上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 不同桥臂上的元件之间进行的。7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会  增加  、正反向漏电流会  下降  ；当温度升高时，晶闸管的触发电流会 下降 、正反向漏电流会  增加 。8、 在有

3、环流逆变系统中，环流指的是只流经?逆变电源   、     逆变桥  而不流经  负载  的电流。环流可在电路中加    电抗器   来限制。为了减小环流一般采控用控制角α   大于 β的工作方式。9、常用的过电流保护措施有  快速熔断器?、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有   Ⅰ+、 Ⅰ-、 Ⅲ＋、 Ⅲ-     四种。二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故

4、障时会出现失控现象。  （ √ ）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。  （  ×  ）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。  （  × ）4、逆变角太大会造成逆变失败。    （  ×  ）5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。   （  √  ）6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。   （  × ）7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。  （  × ）8、在单相全控桥整流电路中，晶

5、闸管的额定电压应取U2。   （  × ）9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（  × ）10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。?（  √  ）三、选择题（每题3分，15分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差  A度。A、180°， B、60°， c、360°， D、120°2、α为    C   度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A，0度， B，60度， C，3

6、0度， D，120度，3、晶闸管触发电路中，若改变    B  的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。4、可实现有源逆变的电路为    A   。 A、三相半波可控整流电路，       B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理   A   。 A、30o-35o，  B、10o-15o，  C、0o-10o，   D、0o。

7、四、问答分析题,(每题7分21分)1、 在晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作用有哪些？其中电阻R的作用是什么？2、单结晶体管的特性曲线可以分为哪几段？如果用一个二极管和两个电阻接成如下方式，请按对单结晶体管特性曲线进行研究的相同做法，设计试验电路，并作出它的Ie-Ue特性曲线。1、R、C回路的作用是：吸收晶闸管瞬间过电压，限制电流上升率，动态均压作用。R的作用为：使L、C形成阻尼振荡，不会产生振荡过电压，减小晶闸管的开通电流上升率，降低开通损耗。、2、单结晶体管特性曲线可分为：截止区、负阻区、

8、饱和导通区。      3、由下面单结晶体管的触发电路图画出各点波形。   五、计算题,(每题9分，18分)1、一台工业炉原由额定电压为单相交流220∨供电，额定功率为10千瓦。现改用双向晶闸管组成的单相交流调压电源供电，如果正常工作时负载只需要5千瓦。试问双向晶闸管的触发角α应为多少度？试求此时的电流有效值，以及电源侧的功率因数值。 π/2；    32.1A；     0.707； 2、 已知自耦变压器基本绕组为1-0，调整绕组1-3与1-2之间的匝数是1-0的10％。试分析图示两组反并联晶