第二章三极管练习题

《第二章三极管练习题》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、第二章三极管练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。2．三极管按结构分为_和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三

2、极管的工作状态分别是____和______。8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。11.在正常工作范围内，场效应管极无电流12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置

3、电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。二、选择题：1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（）状态。A、放大B、截止C、饱和D、损坏2、三级管开作在放大区，要求（   ）A、发射结正偏，集电结正偏        B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏         D、发射结反偏，集电结反偏3、在放大电路中，场

4、效应管应工作在漏极特性的哪个区域？（）A可变线性区B截止区C饱合区D击穿区4.一NPN型三极管三极电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（）A．饱和区B．截止区C．放大区D．击穿区5.三极管参数为PCM=800mW,ICM=100mA,UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。A．UCE=15V，IC=150mAB．UCE=20V，IC=80mAC．UCE=35V，IC=100mAD．UCE=10V，IC=50mA6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）3AVC=0.3V，VE=0V，VB=0.7VBVC

5、=-4V，VE=-7.4V，VB=-6.7VCVC=6V，VE=0V，VB=-3VDVC=2V，VE=2V，VB=2.7V7.如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（）A．均为正偏B．均为反偏C．发射结正偏，集电结反偏D．发射结反偏，集电结正偏8.场效应管工作在恒流区即放大状态时，漏极电流ID主要取决于（）A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压D、栅漏电压。9.场效应管是一种（）器件A、电压控制双极型B、电压控制单极型C、、电流控制双极型D、电流控制单极型、10.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（）状态。

6、A、放大B、截止C、饱和D、损坏11、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为()。A.83B.91C.10012、工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（）A．ＵC>UB>UEB。ＵCＵC>UED。ＵC>UE>UB13．下列场效应管，哪一个是耗尽型NMOS管（）A．B。C。D。14、UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有()。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管三、判断题3V3.7V3.3V(d)1、判断图示三极管的工作状态。-1.7V-5V-1V(b)3V2V6V

7、(c)0.7V5V0V(a)2、判断图示电路对交流信号有无放大作用。若无放大作用，请予改正。。＋VCCuouiRCRBC1C2V。。。。(b)＋VCCuouiRCRBC1C2V。。。。。(a)3+7.5V-8V+7.1V+5V+3.2V(a)+3.5V-3V-2.3V(b)+6.9V+4V(c)+5V0V(d)3、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（）。4.工作在放大区的三极管，集电结正偏。5.晶体三极管的C、E可以交换使用。6．三极管是电压放大元件。7．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成8、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明