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1、金衬底调控单层二硫化钼电子性能的第一性原理研究原文地址：http://www.jactc.com/view/1d4d290fe91a06043718237f72b06b60.html金衬底调控单层二硫化钼电子性能的第一性原理研究张理勇方粮彭向阳TuningtheelectronicpropertyofmonolayerMoS2adsorbedonmetalAusubstrate:afirst-principlesstudyZhangLi-YongFangLiangPengXiang-Yang引用信息
2、Citation:ActaPhysicaSinica,64,187101(2015)DOI:10.7498/aps.64.187101在线阅读Viewonline:http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.187101当期内容Viewtableofcontents:http://wulixb.iphy.ac.cn/CN/Y2015/V64/I18您可能感兴趣的其他文章ArticlesyoumaybeinterestedinGGA+U的方法研究Ag掺杂浓度对ZnO带隙和吸收光谱
3、的影响GGA+UstudyontheeffectsofAgdopingontheelectronicstructuresandabsorptionspectraofZnO物理学报.2015,64(15):157101http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.157101N-F共掺杂锐钛矿二氧化钛(101)面纳米管的第一性原理研究N-Fco-dopedintitaninumdioxidenanotubeoftheanatase(101)surface:afirst-princi
4、plesstudy物理学报.2015,64(14):147103http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.147103金和银的晶格反演势的构建及应用Applicationandfoundationoninversionlatticepotentialofgoldandsilver物理学报.2015,64(14):147101http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.147101BiTiO3电子结构及光学性质的第一性原理研究First-principle
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6、.7498/aps.64.097101物理学报ActaPhys.Sin.Vol.64,No.18(2015)187101金衬底调控单层二硫化钼电子性能的第一性原理研究?张理勇1)2)方粮1)2)?彭向阳3)410072)1)(国防科学技术大学,高性能计算国家重点实验室,长沙2)(国防科学技术大学计算机学院,长沙3)(湘潭大学物理与光电工程学院,湘潭410072)411005)(2015年3月24日收到;2015年5月16日收到修改稿)基于密度泛函的第一性原理研究了金衬底对单层二硫化钼电子性能的调控作
7、用.从结合能、能带结构、电子态密度和差分电荷密度四个方面进行了深入研究.结合能计算确定了硫原子层在界面的排布方式,并指出这种吸附结构并不稳定.能带结构分析证实了金衬底与单层二硫化钼形成肖特基接触,并出现钉扎效应.电子态密度分析表明金衬底并没有影响硫原子和钼原子之间的共价键,而是通过调控单层二硫化钼的电子态密度增加其导电率.差分电荷密度分析表明单层二硫化钼的导电通道可能在界面处产生.研究结果可对单层二硫化钼晶体管的建模和实验制备提供指导.关键词:二硫化钼,金衬底,电子性能,第一性原理PACS:71.1
8、5.Mb,68.43.Bc,82.65.+rDOI:10.7498/aps.64.187101在机械能与电能转化中发挥作用[8].通过温度[9]、1引言[1]应力[10,11]、掺杂等[12]方式可以调控单层硫化钼的电磁性能.,其他二维[3]近年来,随着石墨烯被成功制备层状纳米材料如黑磷[2]单层二硫化钼具有天然的带隙，很有可能成为下一代晶体管的导电沟道材料.Kis等[13]在2011年第一次制备了单层二硫化钼晶体管,晶体管电流开关比达到108,迁移率达到200cm2
