手机音频知识汇总

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1、手机音频知识汇总一、音频基础知识2a)MIC单体基础知识&电路分析2b)Receiver&SPEAKER单体知识&电路分析3二．MTK平台音频参数调试介绍4三.手机噪声问题22a）普通模式TDD：(听筒,Mic)24b)免提模式TDD28c).回音，啸叫问题28d).Pop声问题29e).电流声问题电容发声问题（背光，LCD,DCDC等电路）3336一、音频基础知识a)MIC单体基础知识手机上的MIC一般为驻极体电容式MIC。主要由声电转换以及阻抗变换两部分电路组成。工作原理：如上图，MIC内部由一片单面涂有金属的振动膜与一个带有若干小孔贴

2、有驻极体薄膜的金属电极（称为背极）构成。驻极体是一种能长久保持电极化状态的电介质，分布有自由电荷。R是FET(MIC的阻抗变换器或前置放大器)的输入电阻。背极板和振动膜共同组成一个平行板电容；由平行板电容器公式：C=ε·S/4πkd①；C=Q/V②得知，当一个电容器充有Q量的电荷，那么电容器两个极板（背极板和振膜）会形成一定的电压，振膜将在声压的作用下产生位移，产生Δd的变化，这样就会产生ΔC的变化，由于充电电荷又是固定不变的，电容量的改变使电容器的输出产生了相应的交变电场ΔV，交变电场作用于R就形成了与声波信号对应的电信号，从而将声音信号

3、转变为电信号。MICBIAS电压MIC电路框架示意图FET(场效应管)MIC的主要器件,起到阻抗变换或放大的作用,C;是一个可以通过膜片震动而改变电容量的电容,声电转换的主要部件.C1,C2是为了防止射频干扰而设置的,可以分别对两个射频频段的干扰起到抑制作用.10PF滤波1800Mhz，33PF滤波GSM900MhzRL:负载电阻,它的大小决定灵敏度的高低.VS:MIC提供的工作电压（MICBIAS电压）36CO:隔直电容,信号输出端.FET场效应管是一个电压控制元件，漏极的输出电流受源极与栅极电压的控制。由于电容器的两个极是接到FET的S

4、极和G极的，因此相当于FET的S极与G极之间加了一个Δv的变化量，FET的漏极电流I就产生一个ΔID的变化量，因此这个电流的变化量就在电阻RL上产生一个ΔVD的变化量，这个电压的变化量就可以通过耦合电容C0输出给下一级电路，这个电压的变化量是由声压引起的，因此整个传声器就完成了一个声电的转换过程。根据XC=1/jwc可知C很小时，则XC很大，而MIC的C一般在十几皮法（PF）范围，那么XC即在8MΩ左右，这么高的极头输出阻抗无法与后级匹配，而场效应管的输入阻抗很高，经阻抗变换后容易与后级匹配。Q：为什么MIC需要增加偏置电压？R：Mic本身

5、产生的信号非常微弱，内阻非常高，不能直接使用，因此还要进行阻抗变换和放大，所以需要在内部加这个FET前置放大器，而FET(场效应管)只有加Bias电压才能工作。b)Receiver&SPEAKER单体知识原理；音圈被馈入信号电压后，产生电流，音圈切割磁力线，产生作用力带动振膜一起运动，从而牵扯连纸盆振动，再通过空气介质，将声波传送出去。36二．MTK平台音频参数调试介绍常见音频功能缩写说明：ESEchosuppresion.(运行在普通模式和免提模式)EESEnhancedEchosuppresion(运行在免提模式)2ndEES2ndEn

6、hancedEchosuppresion(运行在免提模式)AECAcousticEchoCancellation(2.0运行在普通模式,3.0和4.0运行在免提模式)NSNoisesuppression.抑制背景噪音NLPNonlinearprocession.(去除残留(residual)的回音和背景噪音。NCNoisecontrolNRNoisereduction(运行在普通模式和免提模式，减少环境噪声)CCClaritycontrol清晰度控制（在吵闹的上行环境中改善下行Speech清晰度）VADVoiceactivitydetect

7、ionDRCDynamicrangecontrolRINIReduceReceiveridlenoise在普通模式和免提模式下改善听筒idlenoise23（p）下行的NR为了省电，是默认不打开的。当语音性能需要更高时，也可以打开。在哪里查看NR有没有打开？？？？362.1Audcoeff.c此文件需要注意outputchannel、语音输入，输出FIRsetting和DigitalGainSetting参数的设置。（1）首先需要注意的是outputchannel的配置，配置错误将出现没有声音的现象，一般不需要更改。各channel的对应关

8、系见下图：（2）其次需要注意FIR的设置：36MTK原始版本中FIR的设置都是使用全通（32767）参数，这里FIR的设置包括SFR（sendingfrequencyrespon