电工学课件995875

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1、电工学课件995875电工学课件9.txt﹃根网线''尽赚了多少人的青春い有时候感动的就是身边微不足道的小事。﹎破碎不是最残酷的最残酷的是踩着这些碎片却假装不疼痛固执的寻找﹎将来就算我遇见再怎么完美的人,都有一个缺点,他不是你,_____下辈子要做男生，娶一个像我这样的女生。本文由第十三亿人贡献ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。半导体三极管和放大电路本章基本要求深入理解三极管的电流放大作用，输入输出特性曲线。1.深入理解三极管的电流放大作用，输入输出特性曲线。掌握直流通路、交流通路的画

2、法，熟悉直流分量、2.掌握直流通路、交流通路的画法，熟悉直流分量、交表示方法。流分量的表示方法。深入理解静态工作点的含义，及其与失真的关系。3.深入理解静态工作点的含义，及其与失真的关系。掌握微变等效电路的画法。4.掌握微变等效电路的画法。掌握分压式偏置电路、共射极电路、5.掌握分压式偏置电路、共射极电路、射极输出器的电路分析及特点。路分析及特点。初步掌握多级放大电路的分析方法。6.初步掌握多级放大电路的分析方法。了解放大电路中反馈的概念。7.了解放大电路中反馈的概念。常见三极管实物图半导体三极管又称晶体三极管，半导体三极管又称晶体三

3、极管，简称三极管或晶体管三极管的基本结构NPN集电区基区发射区PNPNPN集电结发射结PNP三极管内部有三层半导体,根据排列方式不同分为三极管内部有三层半导体根据排列方式不同,分为根据排列方式不同分为NPN型型中间一层称为基区两边分别为发射区和PNP型;中间一层称为基区两边分别为发射区和集电区。型中间一层称为基区,两边分别为发射区和集电区。三层半导体形成两个PN结。发射极与基极之间的PN结称三层半导体形成两个结发射极与基极之间的结称发射结，集电极与基极之间的PN结称集电结。结称集电结发射结，集电极与基极之间的结称集电结。从三个区引出的

4、电极分别称为发射极发射极(E),基极基极(B),集电极集电极(C)从三个区引出的电极分别称为发射极基极集电极CNPNE集电极集电结发射结CPNPE集电极集电结发射结B基极B基极发射极发射极CNPN型型三极管的符号表示CPNP型型BNPNECBIBEIEICBPNPECBIBEIEIC箭头方向为发射结正向偏置时电流方向国产三极管的命名规则3DG100C3:三极管D:NPN型硅材料型硅材料G:高频小功率100:序号序号C:规格号3AD50A3:三极管A:PNP型锗材料型锗材料D:低频大功率50:序号序号A:规格号电流分配和放大原理1）把晶

5、体管接成两个电路：）把晶体管接成两个电路：基极电路和集电极电路,发射极是公共端，基极电路和集电极电路发射极是公共端，称为：晶体管的共发射极接法2）对NPN型硅管发射结施加正向电压）型硅管,发射结施加正向电压型硅管(正向偏置集电结施加反向电压反向偏置正向偏置),集电结施加反向电压反向偏置)正向偏置集电结施加反向电压(反向偏置ICmAIBCERB+EB_mAIE+EC_μABIB(mA)0IC(mA)0.05IE(mA)0.050.010.440.450.021.101.20.031.771.80.042.452.490.053.203.

6、25实验结论晶体管有电流放大作用IC=βIB1)观察每列：IE=IB+IC，符合KCL，且IE≈IC观察每列：符合，2)IC,IE比IB大得多，第3列：IC/IB=3.2/0.05=64大得多，列3)基极电流得少量变化，引起集电极电流的较大变化，基极电流得少量变化，引起集电极电流的较大变化，IC/IB=(3.2-2.45)/(0.02-0.01)=75的比值称静态电流放大系数：将IC与IB的比值称静态电流放大系数：β=IC/IB的比值称动态电流放大系数：将IC与IB的比值称动态电流放大系数：β=IC/IBβ≈β三极管的特性曲线晶体管的

7、特性曲线用来表示该晶体管各极电压和电流之间的相互关系，它反映晶体管的特性，间的相互关系，它反映晶体管的特性，是分析放大电路的重要依据。特性曲线可用晶体管特性图示仪直观显示。的重要依据。特性曲线可用晶体管特性图示仪直观显示。ICIB+RB+EB_EBVUBEBCEIEV++UCEEC___测量晶体管特性的实验数据1.输入特性曲线：1.输入特性曲线：输入特性曲线指当集射极电压U为常数时,指当集射极电压CE为常数时输入端电压U与电流I的关系。输入端电压BE与电流B的关系。IB(μA)80604020UBE(V)0.40.8UCE≥1VIB=

8、f(UBE)

9、UCE=常数UCE增大，曲线族右移，当增大，曲线族右移，UCE>=1，曲线基本重合通，曲线基本重合.通常只画出U常只画出CE>=1时一条曲线时一条曲线输入特性曲线是非线性的，输入特性曲线是非线性的，有一段“