霍尔效应论文附件

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1、霍尔效应实验研究改进与应用前景作者：周生洋（高分子学院橡胶101班）学号：1003040120摘要：1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识。2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量并绘制试样的VH－IM曲线。3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。4.霍尔元件的应用与当前发展状况。关键词：霍尔效应测量方法应用发展前景HalleffectexperimentalapplicationandthedevelopmentAbstract:1.Tounderstandhalleffectexperimentprincipl

2、eandrelevanthallelementonthematerialrequirementsofknowledge.2.Learntouse"symmetricalmeasurementmethod"toeliminatetheeffectofvice,measuringandmapsampleVH-IMcurve.3.Determinethesampleofconductivetype,carriersconcentrationandmobility.4.Hallelementtheapplicationandcurrentdevelop

3、mentsituation.keywords:halleffectmeasuringmethodappliedprospectsfordevelopment概述：随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结

4、构简单、频率响应宽（高达10GHz）、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。了解这一富有实用性的实验，对日后的工作将有益处。一．霍尔效应的原理将一块半导体或导体材料，沿Z方向加以磁场，沿X方向通以工作电流I，则在Y方向产生出电动势，如图1所示，这现象称为霍尔效应。称为霍尔电压。(a)(b)图1霍尔效应原理图实验表明，在磁场不太强时，电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度d成反比，即(1)(2)式（1）中称为霍尔系数

5、，式（2）中称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv/(mA·T)。产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子（N型半导体中的载流子是带负电荷的电子，P型半导体中的载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。如图1（a）所示，一快长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片，置于沿Z轴方向的磁场中，在X轴方向通以电流I，则其中的载流子——电子所受到的洛仑兹力为(3) 式中为电子的漂移运动速度，其方向沿X轴的负方向。e为电子的电荷量。指向Y轴的负方向。自由电子受力偏转的结果，向A侧面积聚，同时在B侧面上出现同数量的正电荷，在两侧

6、面间形成一个沿Y轴负方向上的横向电场（即霍尔电场），使运动电子受到一个沿Y轴正方向的电场力，A、B面之间的电位差为（即霍尔电压），则(4)将阻碍电荷的积聚，最后达稳定状态时有即得(5)此时B端电位高于A端电位。若N型单晶中的电子浓度为n，则流过样片横截面的电流I=nebdV得(6)将(6)式代入(5)式得(7)式中称为霍尔系数，它表示材料产生霍尔效应的本领大小；称为霍尔元件的灵敏度，一般地说，愈大愈好，以便获得较大的霍尔电压。因和载流子浓度n成反比，而半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，所以采用半导体材料作霍尔元件灵敏度较高。又因和样品厚

7、度d成反比，所以霍尔片都切得很薄，一般d≈0.5mm。上面讨论的是N型半导体样品产生的霍尔效应，B侧面电位比A侧面高；对于P型半导体样品，由于形成电流的载流子是带正电荷的空穴，与N型半导体的情况相反，A侧面积累正电荷，B侧面积累负电荷，如图1（b）所示，此时，A侧面电位比B侧面高。由此可知，根据A、B两端电位的高低，就可以判断半导体材料的导电类型是P型还是N型。由（7）式可知，如果霍尔元件的灵敏度已知，测得了控制电流I和产生的霍尔电压，则可测定霍尔元件所在处的磁感应强度为。高斯计就是利用霍尔效应来测定磁感应强度B值的仪器。它是选定霍尔元件，即已

8、确定，保持控制电流I不变，则霍尔电压与被测磁感应强度B成正比。如按照霍尔电压的大小，预先在仪器面板上标定出高斯刻度，则使用时由指针示值就可直接读出磁感