银纳米线导电膜市场分析报告

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时间:2017-11-12

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1、银纳米线导电膜市场分析报告一、纳米银线是一种ITO替代技术,相比ITO具有三大优势1、较低的方阻值,适合中大尺寸触控屏应用目前触摸屏使用的ITOGlass方阻主流规格为60Ω/□,ITOFilm方阻主流规格为150Ω/□,上述指标对于10寸以下的触控产品是完全够用的,但是在触控笔记本、一体化机(AIO)等10寸以上中大尺寸触摸屏应用中,存在触控灵敏度和抗干扰性变差的问题,应用显得吃力。2、具有良好的可弯曲性,适合柔性触控和显示应用ITO的易脆性容易造成阻抗稳定性将变得很差,导致ITO主要集中在19寸以下中小尺寸触摸屏应用,而以纳米银线为代

2、表的ITO替代技术具有良好的弯曲性适合柔性显示和触控应用。3、较低的低成本在触摸屏上游材料的成本中,ITO材料占据40%左右,随着触摸屏行业快速发展,对ITO材料的需求将越来越大,作为ITO主要成分的铟,不但价格随之不断上涨,而且未来将有告罄的危险,而以纳米银线为代表的ITO替代技术具有一定的成本优势。基于上述三方面因素,ITO替代技术成为近年来触控领域研究的热点,触摸屏行业有关厂商在积极研发能应用于中大尺寸触摸屏且低成本的ITO替代材料。二、ITO替代技术格局—纳米银线和金属网格是主流目前,主要的ITO替代技术方案有金属网格(Metal

3、mesh)、纳米银线(Agnanowire)、石墨烯(Graphene)、碳纳米管(CNT)和导电聚合物(PEDOT)等,应用领域定位在中大尺寸触摸屏。五种ITO替代技术方案的优缺点、主要研发生产企业和技术指标等情况如表1、2、3所示。表1主要ITO替代技术方案技术描述方阻Ω/□透光率%金属网格分散的颗粒沉积在柔性基底上,需要通过烧结成型0.1-10085-88银纳米线用印刷法将分散的金属线沉积在柔性基底上,形成随机网络30-15090碳纳米管分散的中空纳米碳管沉积在柔性基底上,形成随机网络200-250088石墨烯原子级厚度的碳薄膜通过

4、CVD生长并转移到柔性基底上100-80090导电聚合物液态聚合物涂覆在基底上100-40084-90资料来源:互联网、公司网站表2ITO替代技术优缺点及主要厂商技术优点缺点技术成熟程度主要研发厂商金属网格低方阻,低成本,支持柔性触控及显示,支持全尺寸小尺寸网格可见,影响视觉效果,中大尺寸影响不明显;存在莫尔条纹干涉。部分厂家已实现导电膜和触摸屏的量产,产业化进展最快的技术国外:富士、郡是、ATMEL、Unipixel国内:苏大维格、欧菲光、界面、厦门变格银纳米线透光率高,较低方阻,低成本,支持柔性触控及显示,支持全尺寸存在雾度问题已有部

5、分厂商完成导电膜量产准备,产业化应用落后于金属网格国外:Cambrios、写真印刷、日立化成、东丽国内:宸鸿、中科纳通珠海纳金、广东启明科技碳纳米管光学效果好,支持柔性触控及显示成本高,技术不成熟仅有个别厂家投入,技术不成熟国外:识骅、东丽国内:富纳源创石墨烯高强度,高透光率成本较高,技术不成熟仅有少数厂家投入,国外:三星、Sony、辉锐产业化刚起步,技术有待完善国内:无锡格菲、二维碳素、重庆墨希科技导电聚合物低成本,透光率高技术不成熟研究阶段国外:Agfa、Fujitsu资料来源:互联网、公司网站1、金属网格和银纳米线金属网格和银纳米线

6、两大技术阵营研发起步较早,技术优势明显,成本较低,在产业化方面处于领先地位,是目前主流的中大尺寸触摸控屏发展方向。2、石墨烯石墨烯技术理论上的透光度及电阻性能很有优势,但是由于其制作工艺复杂,很长一段时间内都不具备量产条件,且制作导电膜后的实际方阻值目前仅能达到ITO导电膜的水平,成本较高,所以在产业化方面进展一直较慢,还有一些制备、镀膜等技术需要完善,但近年来产业化有加快的趋势。3、碳纳米管纳米碳管工业化量产技术尚未完善,其制成的导电膜产品导电性还不能达到普通ITO薄膜的水平,成本较高,目前国内仅有一家企业宣称量产,实际情况不详。4、金

7、属网格和银纳米线技术优劣比较从技术方面看:金属网格成本低,方阻值更低,能适应全尺寸触摸屏产品的需要,存在小尺寸可以看见网格的问题;银纳米线的透光率更好一些,在曲面应用时方阻值更稳定,较适合智能穿戴设备的应用。总体而言,两种技术在阻值,延伸性,弯曲性等方面均可满足中大尺寸触控屏要求,但金属网格可以适应的触摸屏尺寸范围更大。表4金属网格与银纳米线技术优劣比较技术优势劣势金属网格成本低,方阻更低,小尺寸可见网格莫瑞干涉银纳米线透光率更好,曲面时阻值稳定雾度问题资料来源:互联网从产业方面看:纳米银线印刷油墨包括纳米银线(线径约50nm、线长约23

8、μm)、调制溶液配方等,并非能直接取得,而是由Cambrios等少数专业纳米银线材料供应厂商垄断专利,因此原料成本更不易下降,这也是目前国内主要企业大力发展MetalMesh的原因。三、ITO

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