光敏电阻预习报告

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1、实验预习报告姓名：高阳班级：F0703028学号：5070309013实验成绩：同组姓名：实验日期：指导老师：批阅日期：光敏电阻基本特性的测量【实验原理】1光敏电阻的工作原理在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时，固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带，同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加，使材料的电导率增加。电导率的改变量为：Δσ=Δp×e×μp+Δn×e×μn(1)式中e为电荷电量；Δp为空穴浓度的改变量；Δn为电子浓度的改变量

2、；μp为空穴的迁移率；μn为电子的迁移率。当光敏电阻两端加上电压U后，光电流为Iph=Ad×Δσ×U(2)式中A为与电流垂直的截面积，d为电极间的距离。用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料．目前生产的光敏电阻主要是硫化镉．光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点，被广泛地用于自动化技术中．本实验光敏电阻得到的光照Φ由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为α时，光照Φ为Φ=Φ0Dcosα，其中：Φ0为不加偏振片时的光照，D为当量偏振片平行时的透明度。2光

3、敏电阻的基本特性光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。【原始数据记录表】1测量光敏电阻的电压与光电流的关系αU(V)0∘30∘60∘90∘01234567891011121314152测量光敏电阻的照度与光电流的关系U(V)α135150∘10∘20∘30∘40∘50∘60∘70∘70∘80∘90∘