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时间:2018-08-03
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1、电子科技大学UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA专业学位硕士学位论文MASTERTHESISFORPROFESSIONALDEGREE(电子科技大学图标)论文题目薄膜体声波谐振器(FBAR)技术研究专业学位类别工程硕士学号200950203004江洪敏作者姓名指导教师唐广副教授 分类号密级注1UDC学位论文薄膜体声波谐振器(FBAR)技术研究江洪敏指导教师唐广副教授成都电子科技大学马晋毅研究员重庆中国电科第26所申请学位级别硕士专业学
2、位类别工程硕士工程领域名称电子与通信工程提交论文日期2014.3.14论文答辩日期学位授予单位和日期电子科技大学答辩委员会主席2014.5.282014年6月25日评阅人注1:注明《国际十进分类法UDC》的类号。 THESTUDYOFTHEFILMBULKACOUSTICRESONATORTECHNOLOGYAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:Author:Advisor:S
3、chool:ElectronicsandCommunicationEngineeringJIANGHongminTANGGuangSchoolofElectronicEngineering 独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明
4、并表示谢意。作者签名:日期:年月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)作者签名:导师签名:日期:年月日 摘要摘要本论文以薄膜体声波谐振器(FBAR)技术为主要的研究对象,在深入分析薄膜体声波谐振器理论和技术原理的基础上
5、,对薄膜体声波谐振器(FBAR)技术进行了详尽的讨论和研究。主要内容为:1.调研国内外FBAR技术最新发展动态,制定FBAR总体设计实施方案;2.横膈膜型FBAR器件工艺方案的设计和研究;3.FBAR器件版图及工艺参数设计;4.Si的三维化学各向异性深槽刻蚀技术的研究;5.低损耗换能器设计及制作技术研究;6.优质ZnO压电薄膜生长技术研究;7.换能器结构层不同薄膜材料的选择性刻蚀技术研究。通过刻苦攻关,在突破器件横膈膜成形、不同薄膜材料的选择性刻蚀、优质ZnO压电薄膜的生长等多项关键技术基础上,
6、研制出了满足论文课题指标的薄膜体声波谐振器(FBAR)样品。样品主要技术指标:中心频率3194MHz,插损3.8dB,Q值230。通过本论文课题的研究,取得了国内在薄膜体声波谐振器技术研究上的突破,为FBAR技术在新一代高性能、高可靠性通信电子系统上的应用奠定了基础。关键词:薄膜体声波谐振器,横膈膜,各向异性深槽刻蚀,压电薄膜,选择性刻蚀I ABSTRACTABSTRACTABSTRACT:Inthisdissertation,basedondeeplyanalyzingthetheoryand
7、technologyprincipleofthefilmbulkacousticresonator(FBAR),thefilmbulkacousticresonator(FBAR)technologyarediscussedandinvestigatedindetail.Themainworkandachievementsareasfollows:1.TheoveralldesignandimplementationschemeofFBARhavebeenlaiddownbasedonthesu
8、rveyandstudyonthecurrentdevelopmenttrendsofFBARathomeandabroad;2.ThedesignandstudyoftheprocessschemeofmembraneFBARdevices;3.ThedesignofthelayoutandprocessparametersofFBAR;4.Thestudyon3Dchemicallyanisotropicdeep-grooveetchingtechnologyofSi;5.Thestudyo
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