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1、目录基本要求1拓展部分1具体内容1具体操作1最终代码5关于Idmax分析10基本要求1.模拟接口实例ID/VGS曲线提取的阈值电压和其他SPICE参数2.MOS晶体管的过程模拟3.工艺参数的提取4.简单的ID / VGS VDS = 0.1V曲线的生成拓展部分探究哪些参数能影响Idmax的增长具体内容*多晶硅栅是由简单的几何蚀刻。在这一点上模拟本质上是一维的，因此运行ATHENA的一维模式。之后，蚀刻，结构转换为二维网格。*使用deckbuild自动界面过程模拟的结构将被传递到ATLAS。这界面因此允许从过程模拟全局优化SPICE模型参数提取装置仿真。*末尾提取语
2、句是用来计算在该点的氧化层厚度。返回的值被用来作为校准一个优化目标。*电极在模拟的过程中最终定义。金属沉积和图形化。然后电极语句是用来定义金属区加多晶硅作为ATLAS电极。*末尾提取语句是用来测量的阈值电压和其他SPICE参数。具体操作一.Meshspectification1.打开网格定义窗口：右键点击commands—>structure->选Mesh2.在打开的meshdefine界面，direction栏默认为x，location-栏输入,输入后记得按回车，输入输完之后按insert，再依次重复点击view会看到网格显示窗口二.Structuredefin
3、ition区域定义a：打开区域定义窗口：右键点击commands->structure->regionb:默认参数，点击write电极定义a：打开电极定义窗口：右键点击commands->structure->electrodeb:右键点击addelectrode，选择anode选定然后点击右菜单栏的->defineloctionxlow选择5length选择2然后点击writec：按照刚才步骤，点击addelectrode选择cathode点击write掺杂a:点击进入掺杂定义窗口：右键点击commands->structure->dopingb：选择unifo
4、rm栏conc输入5e16栏polarity选择n点击write三.Materialmodelspecification设置材料模型、接触性质a：点击进入模型定义窗口：右键点击commands->model->materialb：定义硅和硅锗中电子空穴SRH复合寿命分别为1e-7s和1.e-8sc:定义物理模型四.Initialsolution提供初值a：打开初值定义窗口commands->solutions->solveb:选择默认值，直接点击write五.Gummelplot数值方法定义a：打开初值定义窗口commands->solutions->method
5、b：选择newton计算模型最终代码goathena#linexloc=0.0spac=0.1//定义网格linexloc=0.2spac=0.006linexloc=0.4spac=0.006linexloc=0.6spac=0.01#lineyloc=0.0spac=0.002lineyloc=0.2spac=0.005lineyloc=0.5spac=0.05lineyloc=0.8spac=0.15#initorientation=100c.phos=1e14space.mul=2//定义衬底,晶格方向100,浓度1e14#pwellformationin
6、cludingmaskingoffofthenwell//P阱形成包括N阱的掩膜#diffustime=30temp=1000dryo2press=1.00hcl=3//退火生成氧化层,,时间30,温度1000,干氧氧化,HCl浓度3%#etchoxidethick=0.02//刻蚀氧化层厚度0.02#//P注入#implantborondose=8e10energy=100pears//离子注入,硼浓度8e10,100eV#diffustemp=950time=100weto2hcl=3//退火,时间100,温度950,湿氧氧化,HCl浓度3%#//N注入##w
7、elldrivestartsherediffustime=50temp=1000t.rate=4.000dryo2press=0.10hcl=3//退火,时间50,温度1000,干氧氧化,HCl浓度3%,0.1个大气压#diffustime=220temp=1200nitropress=1//退火,时间220,温度1200,干氧氧化,HCl浓度3%,1个压强的氮气#diffustime=90temp=1200t.rate=-4.444nitropress=1//退火,时间90,温度1200,1个压强的氮气#etchoxideall//刻蚀所有氧化层#//清洗氧化物
8、diffu
