电力电子变流技术(下)题库

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1、《电力电子变流技术》机械工业出版社命题人王翠平第六章晶闸管的串并联和保护知识点：l晶闸管的串联l晶闸管的并联l晶闸管的过电压保护l晶闸管的过电流保护一、填空题1、多个晶闸管相并联时必须考虑　均流 的问题，解决的方法是   串专用均流电抗器。 2、型号为KS100-8的元件表示   双向晶闸管 晶闸管、它的额定电压为  800V  伏、额定有效电流为  100A  。3、常用的过电流保护措施有  快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可）4、在电力晶闸管电路中，常用的过电流保护有   快速熔断器；    电路串电抗器； 过流时快速移相  ；和 

2、   直流快速开关等几种。5、晶闸管的图形符号是         ，三个电极分别是  阳极A、 阴极K、和门极G  ，双向晶闸管的图形符号是        ，它的三个极分是  第一阳极T1、 第二阳极T2、和 门极G   。6、晶闸管的导通条件 阳极加正电压、门极加正向电压；关断条件是 阳极电流大于掣住电流、阳极电流小于维持电流或加反向电压。7、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是 阻容保护而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和  硒堆 。8、晶闸管的过电流能力比较差，必须采用保护措施，常见的快速熔断器、 过流继电器 、直流快速

3、开关、 、限流与脉冲移相保护 。二、判断题1、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（ ×    ）2、晶闸管并联使用时，必须注意均压问题。  （  × ）3、两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。 （  √ ）4、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。   （  √  ）5、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。   （  × ）6、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。  （  × ）7、晶闸管一旦导通，门极没有失去控制作用。（×）8、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。×9、双向晶闸管额

4、定电流的定义，与普通晶闸管的定义相同。     （ √ ）10、逆变角太小会造成逆变失败。     （   √  ）11、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。    （    √ ）、三、简答题1、抑制过电压的方法有几种？分别是什么？2、晶闸管装置发生过电流的原因有哪些？可以采用那些过电流保护措施？第七章自关断器件知识点：1、掌握GTR、电力MOSFET、GTO、IGBT、MCT、SIT、SITH的工作原理。2、掌握GTR、电力MOSFET、GTO、IGBT、MCT、SIT、SITH的电气符号3、掌握GTR、电力MOSFET、GTO、IGBT、MCT、SIT、SITH的开关特性、参数

5、。4、了解GTR、电力MOSFET、GTO驱动电路、缓冲电路。一、填空题1、目前常用的电力晶体管有:单管GTR、达林顿管、GTR模块。2、电力晶体管的三个极分别为：发射极、集电极、基极。3、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用__快速恢复______型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。4、动态特性描述GTR的开关过程的瞬态性能，又称开关特性。5、GTR能够安全运行的范围称为安全工作区。6、功率场效应晶体管的三个极分别为栅极、源极、漏极7、、功率场效应晶体管的导电沟道分为N沟道和P沟道。8、功率MOSFET的保护分为静电保护和工作保护9、过电压保护措施主要是利用缓冲电路抑制过电

6、压的产生。10、IGBT缓冲电路，也称为吸收电路。11、MOS控制晶闸管是一种单极型和双极型组合而成的复合器件。12、MCT的三个极分别为：阳极、阴极、门极13、一般使MCT导通的负脉冲电压为-5V~-15V，使MCT关断的正脉冲电压为+10~20V。14、静电感应晶体管SIT也是采用垂直导电型式的多胞集成结构15、绝缘栅双极型晶体管是以  电力场效应晶体管的栅极作为栅极，以  电力晶体管的集电极和发射极 作为发射极与集电极复合而成。16、可关断晶闸管的图形符号是       ；电力场效应晶体管的图形符号是      绝缘栅双极晶体管的图形符号是          ；电力晶体管的图形符号

7、是         ；17、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为  有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。18、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR  ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT是  MOSFET和  GTR  的复合管。19、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有                、