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时间:2018-08-01
《cmos集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、目录摘要:10前言11闩锁效应产生背景22CMOS反相器32.1反相器电路原理32.2反相器工艺结构33闩锁效应基本原理43.1闩锁效应简介43.2闩锁效应机理研究43.3闩锁效应触发方式64闩锁措施研究64.1版图级抗栓所措施64.2工艺级抗闩锁措施74.3电路应用级抗闩锁措施95结论9参考文献:109CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施摘要:CMOSScaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地
2、之间形成大电流通路,导致器件失效。闩锁效应已成为CMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。本文以反相器电路为,介绍了CM0S集成电路的工艺结构;采用双端PNPN结构模型.较为详细地分析了CM0S电路闩锁效应的形成机理;给出了产生闩锁效应的必要条件与闩锁的触发方式,介绍了在电路版图级、工艺级和电路应用时如何采用各种有效的技术手段来避免、降低或消除闩锁的形成,这是CMOS集成电路得到广泛应用的根本保障。关键词:CM0S集成电路;闩锁效应;功耗;双端pnpn结;可控硅StudyonthemechanismofLatch-upeffec
3、tinCMOSICanditscountermeasuresWangxinAbstract:DevicechannellengthbecomemoreandmoreshortunderCMOSScaling,suchthatlatch-upeffectinCMOSstructureisstandoutincreasingly.Latch—upisaparasiticeffectinCMOScircuits.OncetheparasiticBJTistriggered,therewillbehighcurrentfromVDDtoGND
4、,whichmakesthechipinvalidation.Latch—upphenomenonbecomethemainreasonofCMOSICapplied.Basedoninverter,thestructureofCMOSICarepresented,ThemodelofpnpndiodeistooktoanalyzethemechanismofLatch—upeffectinCMOSIC.Thenecessaryconditionsandthetriggermodeofthelatch-uparegiven.Manym
5、eansareintroducedtohowtoavoid,decreaseoreliminatetheLatch—upeffectinlayout,technologicalprocessandcircuitsapplicationlevel.ItguaranteethewideutilizationforCMOSIC.Keywords:CMOSIC;Latch—upeffect;powerdissipation;pnpndiode;thyristor.0前言CMOS(ComplementaryMetal—Oxide—Semicon
6、ductor)集成电路是目前大规(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路中广泛应用的一种电路结构,1963年由万雷(Wanlass)和萨支唐(Sah)提出,它是将NMOS(N沟道MOS)和PMOS(P沟道MOS)组台所形成的逻辑器件.CMOS电路的主要优点是它只有在逻辑状态转换时(例如从0到1)才会产生较大的瞬态电流,而在稳定状态时只有极小的电流流过,当它应用于数字逻辑电路时,功率损耗可以大幅减少,通常只有几个纳瓦.当每个芯片上的器件数目增多时,功率消耗变成一个主要限制因素,低功率消耗就成为CMOS9电路最吸引人的特色.此外,CMOS
7、结构还有较佳的噪声抑制能力、很高的输人阻抗等特性.相对于传统的双极型、NMOS、PMOS结构的集成电路而言,其优越性是毫无疑问的,随着集成电路复杂度的增加,制造工艺技术由NMOS工艺转到了CMOS工艺对先进集成电路而言,CM0S技术是最主要的技术.实际上,在ULSI(甚大规模集成电路)电路中,唯有CMOS能胜任。尽管CMOs结构的电路有众多优点,但它并非完美无缺.比如,它的工艺要求比NMOS复杂(需要额外的阱形成技术)、器件占用硅片面积比较大(相对于NMOs而言,难以小型化)更主要的是,CMOS结构会形成电路的闩锁(又称闭锁、自锁、闸
8、流效应),这是CMOS电路与生俱来的寄生效应,它会严重影响电路的功能,造成电路功能混乱甚至电路根本无法工作或烧毁.这是早期CM0S技术不能被接受的重要原因之一.目前,无论从电路结构还是从制作工艺技术上都采取了一些技术来避
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