模拟电子技术及应用高职学习资料

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1、书名：模拟电子技术及应用第2版ISBN：978-7-111-45310-9作者：曹光跃出版社：机械工业出版社本书配有电子课件2.1双极型半导体三极管一、双极型半导体三极管的结构和工作原理二、晶体三极管的特性曲线三、三极管的主要参数四、光电三极管第二章　半导体三极管及放大电路基础一、双极型半导体三极管的结构和工作原理（一）双极型半导体三极管（BJT）结构NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区emitterbasecollectorNPN型PPNEBCPNP型分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、

2、PNP按使用频率分：低频管、高频管按功率分：小功率管<500mW中功率管0.51W大功率管>1WECBECB第二章　半导体三极管及放大电路基础双极型半导体三极管的实物图金属封装小功率管塑封小功率管塑封大功率管金属封装大功率管第二章　半导体三极管及放大电路基础（二）工作原理三极管放大的条件内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏集电结反偏外加电源与管子的连接方式VCCRCICecbVBBRbIBUBEUCEIEVCCRCICecbVBBRbIBUBEUCEIENPN型管的连接方式PNP型管的

3、连接方式第二章　半导体三极管及放大电路基础三极管内部载流子的传输过程(以NPN型为例)1)在VBB提供的正偏电压作用下,发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流IE。ICN多数向BC结方向扩散形成ICN。IE少数与空穴复合，形成IBN。IBNICBOIBIC2)电子到达基区后(基区空穴运动因浓度低而忽略)ICN≈ICIBN≈IB基区空穴来源基极电源提供(IB)集电区少子漂移(ICBO)IB三个电极的电流关系:IE=IC+IB直流电流放大系数:第二章　半导体三极管及放大电路基础满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiu

4、oECBuiuo共发射极电路共集电极电路共基极电路实现电路uiuoRBRCuouiRCRE第二章　半导体三极管及放大电路基础二、晶体三极管的特性曲线（一）输入特性输入回路输出回路与二极管特性相似RCVCCiBIERB+uBE+uCEVBBCEBiC+++iBRB+uBEVBB+O特性基本重合(电流分配关系确定)特性右移(因集电结开始吸引电子)导通电压UBE(on)硅管：(0.60.8)V锗管：(0.20.3)V取0.7V取0.2VVBB+RB第二章　半导体三极管及放大电路基础（二）输出特性iC/mAuC

5、E/V100µA80µA60µA40µA20µAiB=0O24684321截止区：iB0iC=ICEO0条件：两个结反偏2.放大区：3.饱和区：uCEuBEuCB=uCEuBE0条件：两个结正偏特点：iCiB临界饱和时：uCE=uBE深度饱和时：0.3V(硅管)uCE=U(CES)=0.1V(锗管)放大区截止区饱和区条件：发射结正偏集电结反偏特点：水平、等间隔ICEO第二章　半导体三极管及放大电路基础（三）温度对三极管特性曲线的影响1.温度升高，输入特性曲线向左移。温度每升高1C，UBE(22.5)mV

6、。温度每升高10C，ICBO约增大1倍。2.温度升高，输出特性曲线向上移。OT1T2>iCuCET1iB=0T2>iB=0iB=0温度每升高1C，(0.51)%。输出特性曲线间距增大。O第二章　半导体三极管及放大电路基础三、三极管的主要参数1、电流放大系数（1）共发射极电流放大系数iC/mAuCE/V50µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321—直流电流放大系数—交流电流放大系数一般为几十几百（2）共基极电流放大系数1一般在0.98以上。Q2、极间反向饱和电流CB极间反向饱和电流IC

7、BO，CE极间反向饱和电流ICEO。第二章　半导体三极管及放大电路基础3、极限参数1.ICM—集电极最大允许电流，超过时值明显降低。U(BR)CBO—发射极开路时C、B极间反向击穿电压。2.PCM—集电极最大允许功率损耗PC=iCuCE。3.U(BR)CEO—基极开路时C、E极间反向击穿电压。U(BR)EBO—集电极极开路时E、B极间反向击穿电压。U(BR)CBO>U(BR)CEO>U(BR)EBOiCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区四、光电三极管光电三极管的工作原理是将光照后产生的电信号又进行了

8、放大，用光的强度来控制集电极电流的大小。符号：ce第二章　半导体三极管及放大电路基础2.2场效应管二、结型场效晶体管三、场效晶体管的主要参数一、MOS场效应晶体管第二章　半导体三极管及放大电路基础（一）N沟道增强型MOS场效应晶体管一、MOS场效应晶体管（IGFET）1.结构与符号P型衬底(掺杂浓度低)