亥姆霍兹线圈磁场测定-实验报告

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1、开放性实验实验报告——亥姆霍兹线圈磁场测定姓名学号班级亥姆霍兹线圈是一对相同的、共轴的、彼此平行的各有N匝的圆环电流。当它们的间距正好等于其圆环半径R时，称这对圆线圈为亥姆霍兹线圈。在亥姆霍兹线圈的两个圆电流之间的磁场比较均匀。在生产和科研中经常要把样品放在均匀磁场中作测试，利用亥姆霍兹线圈是获得一种均匀磁场的比较方便的方法。一、实验目的1.熟悉霍尔效应法测量磁场的原理。2.学会亥姆霍兹磁场实验仪的使用方法。3.测量圆线圈和亥姆霍兹线圈上的磁场分布，并验证磁场的叠加原理二、实验原理同学们注意，根据自己的理解，适当增减，不要太多，有了重点就可以了。1．霍尔器件测量磁场的原理图3—8—1 霍

2、尔效应原理--如图3—8—1所示，有－N型半导体材料制成的霍尔传感器，长为L，宽为b，厚为d，其四个侧面各焊有一个电极1、2、3、4。将其放在如图所示的垂直磁场中，沿3、4两个侧面通以电流I，电流密度为J，则电子将沿负J方向以速度运动，此电子将受到垂直方向磁场B的洛仑兹力作用，造成电子在半导体薄片的1测积累过量的负电荷，2侧积累过量的正电荷。因此在薄片中产生了由2侧指向1侧的电场，该电场对电子的作用力，与反向，当两种力相平衡时，便出现稳定状态，1、2两侧面将建立起稳定的电压，此种效应为霍尔效应，由此而产生的电压叫霍尔电压，1、2端输出的霍尔电压可由数显电压表测量并显示出来。如果半导体中电

3、流I是稳定而均匀的，则电流密度J的大小为                              （3—8—1）--式中b为矩形导体的宽，d为其厚度，则bd为半导体垂直于电流方向的截面积。如果半导体所在范围内，磁场B也是均匀的，则霍耳电场也是均匀的，大小为                             （3—8—2）霍耳电场使电子受到一与洛仑兹力Fm相反的电场力Fe，将阻止电子继续迁移，随着电荷积累的增加，霍耳电场的电场力也增大，当达到一定程度时，Fm与Fe大小相等，电荷积累达到动态平衡，形成稳定的霍耳电压，这时根据Fm=Fe有                        

4、    （3—8—3）将（3—8—2）式代入（3—8—3）式得                            （3—8—4）式中、容易测量，但电子速度难测，为此将变成与I有关的参数。根据欧姆定理电流密度，为载流子的浓度，得，故有                             （3—8—5）将（3—8—5）式代入（3—8—4）式得令，则有--                        （3—8—6）式中，为霍耳系数，通常定义，称为灵敏度，这时式（3—8—6）可写为                         （3—8—7）2.根据毕奥—萨伐尔定律，载流线圈在轴线（

5、通过圆心并与线圈平面垂直的直线）上某点（如图1所示）的磁感应强度为：图10PBIIAxRRIPx0ROAOB图2XX(1)式中为真空磁导率，为线圈的平均半径，为圆心到该点P的距离，为线圈匝数，为通过线圈的电流强度。因此，圆心处的磁感应强度为：(2)3.亥姆霍兹线圈是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈（如图2所示），两线圈内的电流方向一致，大小相同,线圈之间的距离正好等于圆形线圈的半径。这种线圈的特点是能在其公共轴线中点附近产生较广的均匀磁场区，设为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点处的距离，则亥姆霍兹线圈轴线上任意一点的磁感应强度为：(3)--而在亥姆霍兹线圈上中心处的磁感应强度B为：（4）

6、三、实验仪器FB511霍尔法亥姆霍兹线圈磁场测定仪一套四、实验内容和步骤1.开机后应预热分钟，再进行测量；2.调整两线圈位置，使两线圈共轴且轴线与台面中心横刻线重合，两线圈距离为R=10.00cm(线圈半径)，左端在0处，右端在10cm（R）处；即组成一个亥姆霍兹线圈。3..测量亥姆霍兹线圈中O1线圈的磁感应强度沿轴线的分布（B1~χ）：按图接线，只给单线圈O1通电，旋转电流调节旋纽，令电流I为100mA。把传感器探头从一侧沿OX轴移动,每移动1.00cm测一磁感应强度B1，测出一系列与坐标x对应的磁感应强度B1。4.测量O2线圈磁感应强度沿轴线的分布（B2~χ）：只给单线圈O2通电，旋

7、转电流调节旋纽，令电流I为100mA。以上述同样的测量方法，测出一系列B2~χ数据。--5.测量亥姆霍兹线圈磁感应强度沿轴线的分布B1+2~χ,并验证磁场迭加原理两个线圈串联，间隔调整至10cm,同时通电流I=100mA，测量其轴线上磁感应强度B1+2，证明B1+2=B1+B2五、数据记录和处理1.将填入exel的数据包括数据结果粘帖到此；2.将B1，B2，B1+2，（B1+B2）随X的变化做在同一图上，并粘帖至此；六、实验小结写不