半导体二极管的特性及主要参数

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1、1.2半导体二极管的特性及主要参数一、二极管的结构与符号二、二极管的伏安特性三、二极管的主要参数四、二极管电路的分析方法第一章　半导体二极管一、半导体二极管的结构构成：PN结+引线+管壳=二极管符号：VD分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型点接触型正极引线触丝N型锗片外壳负极引线负极引线面接触型N型锗PN结正极引线铝合金小球底座金锑合金平面型正极引线负极引线集成电路中平面型PNP型支持衬底第一章　半导体二极管二、二极管的伏安特性OuV/ViV/mA正向特性Uth死区电压iV=0Uth=0.5V0.1V(硅管)(锗管)UUthiV

2、急剧上升0UUthUth=(0.60.8)V硅管0.7V(0.10.3)V锗管0.2V反向特性IRUBR反向击穿UBRU0iV=IR<0.1A(硅)几十A(锗)U

3、–0.0200.4–25–50IV/mAUV/V20C80CT升高时，UV(th)以(22.5)mV/C下降第一章　半导体二极管硅管的伏安特性锗管的伏安特性604020–0.02–0.0400.40.8–25–50IV/mAUV/VIV/mAUV/V0.20.4–25–5051015–0.01–0.020第一章　半导体二极管三、二极管的主要参数1.IF—最大整流电流(最大正向平均电流)2.URM—最高反向工作电压，为UBR/23.IR—反向饱和电流(越小单向导电性越好)IVUVU(BR)IFURMO4.fM—最高工作频率(超过时单向导电性变差)

4、第一章　半导体二极管影响工作频率的原因—PN结的电容效应结论：1.低频时，因结电容很小，对PN结影响很小。高频时，因容抗减小，使结电容分流，导致单向导电性变差。2.结面积小时结电容小，工作频率高。第一章　半导体二极管四、二极管电路的分析方法1、理想模型特性uViV符号及等效模型SS2、恒压降模型uViVUthuv=Uth0.7V(Si)0.2V(Ge)Uth3、二极管的折线近似模型uvivUthUI斜率1/rDrvUth第一章　半导体二极管4、小信号模型如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q（此时有。如果二极管在它的伏安特性的

5、某一小范围内工作，例如静态工作点Q附近工作，则可把伏安特性看成一条直线，其斜率的倒数就是所求的小信号模型的微变电阻。univ等效电路模型伏安特性第一章　半导体二极管