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1、刻蚀（ETCH）工艺的基础知识f4}"y#[7N.@4g 何谓蚀刻(Etch)?*b {3F&[6n-s7P6G3} 答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。)I7x#C3j1{,A-u 蚀刻种类: U%c"O8`.m3p 答：(1)干蚀刻(2)湿蚀刻2e1z!A-}3v 蚀刻对象依薄膜种类可分为:%z+o3E:P)L 答：poly,oxide,metal$e#`*A,O:z$k#p;E9D,B 半导体中一般金属导线材质为何?&v+a#k1a6e.a 答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)8n5i!;k
2、5]&f
3、 何谓dielectric蚀刻(介电质蚀刻)?6r3t0n5K0c"{%Y 答：Oxideetchandnitrideetch!~.t+B/o2G)P*G'W3L 半导体中一般介电质材质为何?2
4、3m$Q8E'A 答：氧化硅/氮化硅0E#^7].f)L(D 何谓湿式蚀刻7y8E6t#z:E4_+d*t7f 答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除4E%e8p3A8q6F5U 何谓电浆Plasma?:D+@'i$f-i;](r"H,r/T2d 答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,7
5、h e0a9?.b5N1g负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.5X*~*v)g#A1
6、%.[ 何谓干式蚀刻?$_1Q+^ v0o4R 答：利用plasma将不要的薄膜去除4J-P,i/E;Y+W:k,X0P3_ 何谓Under-etching(蚀刻不足)?$a$o2k;j9F;N 答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留6m9d-c!W!`.`6?"D)?0h;l 何谓Over-etching(过蚀刻)7Q7m0f+
7、1W-S"[5E(r4U 答：蚀刻过多造成底层被破坏-S:i
8、 R.B(F&g.~;S-F)B 何谓Etchrate(蚀刻速率)!n*v/r6b0` 答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度8_5F4Q+r)D8n2K 何谓Seasoning(陈化处理)'G&d+m*b%U*s.h&S)p 答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆*L%r$a5L5p,D N%C进行数次的蚀刻循环。&H2O6r2K0p6u*W(@2A9b5N Asher的主要用途:!}#f,b)h$D5]7? 答：光阻去除*m8q"@;{*M Wetbenchdryer功用为何?;c*?#M"a
9、%d Q#G$q3k,Y'd.P 答：将晶圆表面的水份去除&q+k&d+p:m9M%k(g'U2M 列举目前Wetbenchdry方法:9[*L b4e+] O)T 答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry(}"C:r,A'w/q/T 何谓SpinDryer"{6n5S4
10、:~0Y+I1H$p0z:j8b&M 答：利用离心力将晶圆表面的水份去除$i!Q2W&F(B*`8j2h;j2k4~ 何谓MaragoniDryer+^7Q9t([6P$X 答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除-R(s3
11、v&r)Q(g7p 何谓IPAVaporDryer9X4R3@*m%I2I C%R 答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除0q4s$e'Z'W*
12、 测Particle时,使用何种测量仪器?1M%o)X)I$r:c$u.f 答：TencorSurfscan#G#W31?"u0M'n!R0~ 测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?8M6d5~%)g 答：膜厚计,测量膜厚差值2X,{1M$f&S 何谓AEI4n6]2p:O2h#l-c;q4e 答：AfterEtchingInspection蚀刻后的检查7d J(["
13、 o
14、8T#] AEI目检Wafer须检查哪些项目:-^$l1Z1k n 答：(1)正面颜色是否异常及刮伤(2)有无缺角及Particle(3)刻号是否正确0J-E7
15、*b-Y"s,I'O:S'~ 金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?:K%
16、+m4T2a 答：清机防止金属污染问题(Y*G Z,S0v7`9m5i5[ 金属蚀刻机台asher的功用为何?"^/m!u)E5p7V/M2r3r 答：去光阻及防止腐蚀;l+J9t%D9U 金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?4{6c3o/}(V%o*P0x 答：因为金属线会溶于硫酸中7z5
17、{0@ A1I+s5f9_0d "HotPlate"机台是什幺用途?%Y&H
