str-f6656应用电路原理

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1、STR-F6656应用电路原理西安赛维培训资料－－CRT类西安赛维技术部刘长军STR-F6656是日本三肯公司推出的一种MOSFET和控制器混用的新型开关电源集成电路，该芯片内部包含启动电路、振荡电路、锁存器、电压比较器、驱动电路、MOS开关管以及过流保护、过压保护、过热保护等电路。由该IC组成的电源，具有工作范围宽、功耗低等特点。同时该IC外围元件非常少，电路设计简单，容易实现小型化、标准化。一、内部原理图（图1）二、IC引脚功能介绍引脚记号名称功能1OCP/FB过电流、反馈端子过电流检出信号以及定电压控制信号输入2SMOSFET源极端子3DMOSFET漏极端子300

2、V输入4VIN电源端子控制电路的电源输入5GND接地图１（1）脚：反馈控制、过流检测脚。当（1）脚电压上升到门限电压0．73V时，集成电路内部电压比较器1翻转，控制振荡器输出反相的低电平，并通过驱动电路迫使MOSFET截止。（1）脚电压上升速度决定了MOSFET的导通时间。过流保护：STR-F6656的过流保护是通过检测每个振荡周期的开关管漏极电流峰值来实现的。当漏极电流过流（2）脚：源极输出。（2）脚输出的漏极电流（3）脚：IC内部MOSFET的漏级。300V直流电压经T501后加在该脚。（4）脚：（4）脚为IC共电输入脚。在开机瞬间（4）脚的电压近似线性的上升，输入

3、电流约为100uA，当电压上升至16V时，IC内部的振荡电路开始。当IC内部振荡电路输出驱动信号后（4）脚的电流会突然变为30mA，开机后，开关变压器T501（1）～（2）绕组产生的电压给（4）脚提供稳定的电压保证电路启动成功。当（4）脚电压在开机时大于20.5V时，IC内部的过压保护电路动作，引起电路保护。（4）脚电压也不能低于10V时，否则IC内部的欠压保护电路动作。正常情况下，（4）脚的电压应在18V左右。（4）脚外围电阻、电容的参数大小直接影响电源启动过程。参数大小直接影响电源启动过程。参数过大会使IC的启动时间延长，过小会在反馈绕组的电压没有到来之前不能使IC

4、维持工作状态，使电源不能顺利启动。对宽电源（90V---270V）外围电容在47—100uF左右，电阻在在47K---68K左右。图3说明了电源启动时，（4）脚电压的变化情况。（5）脚：接地。图３三.应用电路原理电源进线滤波及整流滤波电路图４220V交流电从电源开关S501进入机内，首先经过4A保险管防止可能的意外的过流保护电路。C501、L502、C502组成防辐射电路，用于滤除从电源来各种杂波和干扰脉冲，同时避免开关电源对电网的二次污染。L502是一个磁芯线圈，在它的两个绕组上总是流动着大小相等，方向相反的电流，相互抑制着电流的变化，当突然产生的干扰脉冲流过L502

5、时，L502每个绕组都会在磁芯中产生较强的磁场，而且互相加强，阻碍电流的变化，得到杂波干扰比较少的交流电。滤除杂波和干扰后的交流电经VD503-VD504组成的全桥整流电路整流后变成半波直流电，二极管上并接高压电容C503-C506的作用是滤除高频干扰，保护二极管不受高频干扰的危害。整流后的半波直流电再通过一个防辐射线圈L503后，经过C507滤波得到比较平滑的300V直流电。参见电路图4。2.电路启动过程IC供电利用了整流桥的一个二极管实现半波整流过程。电流流向见图5。220V交流电经R511对C517充电，当C517的电压上升至16V时，IC内部振荡电路开始工作并输

6、出一个驱动信号驱动MOSFET工作。MOSFET工作后，开关变压图５T501（1）～（2）绕组产生感应电压经R516限流、VD512整流后，继续为C517充电，保证C517上的电压超过11V，从而保证电路启动成功。MOSFET在工作的瞬间会突然使C517上的电压下降。如果开关变压器T501（1）～（2）绕组产生的感应电压不能使C517上的电压超过11V，电路将停止工作。参见电路图5。3．IC内部振荡器的工作：IC内部振荡器是通过对C的冲放电形成振荡脉冲的。在PRC工作状态下，稳压过程是由固定的截止时间（Toff），通过改变导通时间（Ton）来实现的。图6表明了没有稳压控

7、制控制信号输入时，内部振荡器的工作波形。当MOSFET导通时，电容C被充电到6.5V，同时漏极电流Id流过电阻R522、R523，在R522//R523上产生锯齿波电压Vd，Vd经R521反馈至IC（1）脚OCP/FB端口。当（1）脚电压上升到门限电压0.73V时，集成电路内部电压比较器1翻转，控制振荡器输出反相的低电平，并通过驱动电路迫使MOSFET截止。MOSFET截止后，电容C通过内部电阻R放电,电容C两端电压按恒定的放电时间常数C*R线性下降。当C两端电压下降到3.7V时，振荡器输出再次反相，为高电平，使MOSFET再次导通，C两