电力电子技术期末考试

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1、电力电子技术期末考试第一章电力电子技术（概念）：就是应用于电力领域的电子技术。电力变换器通常分为四大类：1、交流变直流；2、交流变交流；3；直流变直流；4、直流变交流。电力电子学的倒三角：电力电子学包含了电力电子技术。电力电子技术的应用：1、一般工业；2、交通运输；3、电力系统；4、电子装置用电源；5、家用电器；6、其他（航空等）第二章电力电子器件的概念：主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。电力电子器件：是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。电力电子器件用于主电路与处理信息的电子器件相比，电

2、力电子器件的特征：（1）电力电子器件所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电路的能力，是其最重要的参数；（2）因为处理的电功率较大，为了减小本身的损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态；（3）在实际应用当中，电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制；（4）尽管工作在开关状态，但是电力电子器件自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，因而为了保证不致于因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏，不仅在器件封装上比较讲究散热设计，而且在其工作时一般都还需要安装散热器。电力电子器件在实际应用中的系统组成说明：电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路

3、、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类：（1）通过控制信号可以控制其导通而不能控制其通断的电力电子器件称为半控型器件；（2）通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件（3）也有不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件，这就是电力二极管（不可控器件）。按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为电压驱动型和电流驱动型两类。电导调制效应：低掺杂N区由于掺杂浓度低而具有的高电阻

4、率对于电力二极管的正向导通是不利的。这个矛盾是通过电导调制效应来解决的。电力二极管的主要参数：正向平均电流IF（AV）；正向压降UF；反向重复峰值电压URRM；最高工作结温TJM；反向恢复时间trr；浪涌电流IFSM——指电力二极管所能承受的最大的连续一个或者几个工频周期的过电流。二极管的主要类型：1、普通二极管——又称整流二极管，多用于开关频率不高的整流电路中。2、快恢复二极管——恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短的二极管；3、肖特基二极管——主要用于低压整流，以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管。肖特基二极管的优点：1、反向恢复时间很短，

5、正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；2、在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管；肖特基二极管的弱点：1、当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会搞得不能满足要求，因此多用于200V以下的抵押场合；2、反向漏电电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。晶闸管的基本特性静态特性：位于第I象限的是正向特性，位于第三象限的是反向特性。当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo,则漏电流急剧增大，正向转折

6、电压降低。导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。即使通过较大的阳极电流，晶闸管本身的压降也很小，在1V左右。动态特性：是指由关断到开通，由开通到关断的特性。电力晶闸管（重点）电力MOSFET：就像小功率的用于信息处理的场效应晶体管分为结型和绝缘栅型一样，电力场效应晶闸管也有这两种类型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型简称电力MOSFET。电力MOSFET的主要参数：（1）漏极电压UDS（2）漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM（3）栅源电压UCS（4）极间电容。（5）最大集射极间电压UCES（6）最大集电极电流（7）最大集电极功耗PCM什么叫

7、IGBT：（绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点）IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变

8、流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。第三章整流电路：是电力电子电路中出现最早的一种