电磁兼容进展(上)

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1、电磁兼容进展(上)本文由jimmy3973贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。维普资讯http://www.cqvip.com证与电磁兼容卷　ｒｆｃａｔｏｎ＆ＥＭＣ　ｔｉｉＩＡｂｌｔｒｃｔＥＭＣ　ｄｅｓｇｎｅｃｈｎｉｅｓａｎｄ　ｅＯｄｏｌｌａ！ｉ　ｔｑｕ　ｍ”ｌｏｇｙａｖｅ　　ｈｂｅｃｏｍｅ　ａＢｎｔｇｒ　ａ　Ｉｓｅｌ　ｐａｒ　　ｄｅ．１　ｔｏｆｇｎ４自．ｏｒ日ｘ日ｍＰｌｄｌｔ　ｅ８ｌ　ｈｌ　ｗｌｌｉ　ｄｏｕｂｔｎｃｅ８目ｅｎｍｐｃｒ８１ｃｆｅ．ａＩＲｌｄｏｎＴＢｌｏ　ｒ　ｌｒ　ｌ　Ｉｔ３ｅ　

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6、?产生感应电动　将势。１８年盛兜斯一８４　０１位移电流　人的概念．指出悭化的电场将澉发变　番　这个定律指导搿ｉ　多年术　的集成电路发Ｊ越，，继续止持街馓　ｒ电子技术的发胜　例如．２０　　．００ｌ一　块Ｐｎｉｍ４Ｐｏｅｏｔｔ　ｒＣ…ｒ卜集成了　Ｊｄ００００个ｌ体管　姑撒导．预　２．０．０垴测２　０１｝　＃　好电磁稚择’计　影响研ｒ进度外　世垃造成产品史货推迟．就是　业付出　的最　贵的代价　能解决这些问题的』　师将会　十　十　｝　　’化的磁场，竹由此预　电磁渡的存　在　这种电磁场的特『激Ｉ汁枉空　．儿艟间传播，ＪＦ是电磁骚扰存　的理ｌ　仑，　十　■

7、　＾　?　ｔ　ｔ　Ｍ。微处理器能在１平　Ｉ一　十　十　ａ　Ｃｐｃｔ　ｃ　Ｍｔｉｅ　ｆｏ　ｅｎｄａａ１ａｉｅａｒｃｓｒｍｔｈ　ｒＧｎｒ１ｚｄＣｐｃｔｎｅＭｔｉ　］ｅｅａｉｅ　ａａｉａｃ　ａｒｘｏ　ＥｉＥＥＴ　ｓ　Ｅ　ｒｄｌ　ｏｎＥ１ｃｔｎａ１１　ｒ　ｅｒｏ口／ｅｔ　Ｃ术研究砸士论文［］２０年１．Ｄ，０３月　［５］ＡｈｄＣＭｅ　ｈｅ１ａｖＭｅｍｏ　ｄ１．ｈｕｄＫｅｒｅ　ａｄＳ．ｆ０ｖ　Ｎｅ１．ｄｍ１１／　Ｓ６１ａ　　ｎ１＾６１ｓ　ｏ　Ｃｕ￣ｅ　Ｔｎｓｓｓ０　ｎｙ　ｅｆｏｌｄｒａｍｉ１ｎＬｎｓ１ｈｏｅ－ａ　ｈｒｃｅｉｔｃｉｅ　ｗｔ　ＰｗｒＬｗＣａａｔ

8、ｒｓｌ　Ｅｅｒｍｇｎｌ　Ｃｍｂｔｂ１１ｙ．００．１ｃｔｏｅｔｃｏａ１１ｔ２０　４２（）：０—１　３３０３２［］纯　乐，柄胜天．轶．ＡＬＢ６李ＭＴＡ　仿