武汉理工大物实验-巨磁阻+霍尔效应实验表格

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1、巨磁阻效应及其应用磁电转化特性μ=4π×10^-7H/mn=24000T/mB=μnI磁场矢量减小磁场矢量增大励磁电流I（mA）磁感应强度B（T）输出电压U（mV）励磁电流I（mA）磁感应强度B（T）输出电压U（mV）100-10080-8060-6040-4020-2010-1000-1010-2020-4040-6060-8080-100100磁电转化的开关特性磁场矢量减小磁场矢量增大励磁电流I（mA）电压表显示电平励磁电流I（mA）电压表显示电平301高-301高临界值：1→-1高→低临界值：1→-1高→低0-1低0-1低临界值：-1→1低→高

2、临界值：-1→1低→高-301高301高磁阻特性磁阻供电电压4V磁场矢量减小磁场矢量增大励磁电流I（mA）磁感应强度B（T）磁阻电流IR（mA）磁阻R（Ω）励磁电流I（mA）磁感应强度B（T）磁阻电流IR（mA）磁阻R（Ω）100-10080-8060-6040-4020-2010-1000-1010-2020-4040-6060-8080-100100测电流低磁偏置越25mV高磁偏置约150mV电流矢量减小电流矢量增加电流矢量减小电流矢量增加导线电流I（mA）输出电压U（mA）导线电流I（mA）输出电压U（mA）导线电流I（mA）输出电压U（mA）

3、导线电流I（mA）输出电压U（mA）300-300300-300200-200200-200100-100100-1000000-100100-100100-200200-200200-300300-300300梯度传感器特性转动角度θ（度）036912151821输出电压U（mV）转动角度θ（度）2427303336394245输出电压U（mV）磁记录与读取序号序号转二进制数磁卡区域87654321读出电压（V）霍尔效应及其应用VH~IS关系（IM=0.700A）KB=______KGS/AIS(mA)V1(mA)V2(mA)V3(mA)V4(mA

4、)VH=（V1-V2+V3-V4）/4(mV)+B+IS-B+B-B-IS+B-IS0.501.001.502.002.503.00VH~IM关系（IS=2.00mA）IS(mA)V1(mA)V2(mA)V3(mA)V4(mA)VH=（V1-V2+V3-V4）/4(mV)+B+IS-B+B-B-IS+B-IS0.1000.2000.3000.4000.5000.600测电导率σIM=0d=0.05cmb=0.40cml=0.40cmIS(mA)V1(mV)(+IS)V2(mV)(-IS)Vσ=(│V1│+│V2│)/2σ=ISl/(Vσbd)0.50

5、1.001.50