单板电源设计要点

《单板电源设计要点》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、技术文件技术文件名称：单板电源设计要点技术文件编号：版本：V1.0文件质量等级：共4页(包括封面)拟制陈永铭审核会签标准化批准深圳市中兴通讯股份有限公司61．InputFusing1.1概述所有模块如无特殊说明均需加保险丝。保险丝按熔断速度分，可分为：特慢速保险丝（一般用TT表示）、慢速保险丝（一般用T表示）、中速保险丝（一般用M表示）、快速保险丝（一般用F表示）、特快速保险丝（一般用FF表示）。慢速保险丝也叫延时保险丝，它的延时特性表现在电路出现非故障脉冲电流时保持完好而能对长时间的过载提供保护。有些电路在开关瞬间的电流大于几倍正常工作电流，

2、尽管这种电流峰值很高，但是它出现的时间很短，我们称它为脉冲电流也有称它为冲击电流或叫它为浪涌电流。普通的保险丝是承受不了这种电流的，这样的电路中若使用的是普通保险丝恐怕就无法正常开机了，若使用更大规格的保险丝，那么当电路过载时又得不到保护。延时保险丝的熔体经特殊加工而成，它具有吸收能量的作用，调整能量吸收量就能使它即可以抗住冲击电流又能对过载提供保护。保险丝有一个"熔断系数"其值大于"1"（一般在1.1至1.5之间），它是"常规不熔断电流"与"额定电流"的比值。由此可以看出，即使流过保险丝的电流大于它的额定电流而未超过常规不熔断电流，保险丝也不

3、应该发生熔断现象。1.2使用建议由于我们使用的保险丝基本上都是快速保险丝，而非专用的慢速保险丝，考虑到我们都使用了缓启动电路，在选用保险丝的时候我们需要提高1.5-2.5倍的余量。一般情况下取2，考虑保险丝自身熔断系数为1.2，则2A保险丝允许的实际工作电流为：2×1.2/2＝1.2A。考虑最低电压为－40V，则单板实际功耗为40×1.2＝48W。因此建议45W以下的单板使用2A保险丝，45W以上选用5A保险丝。熔丝的选择还要验证是否满足安全标准的要求，建议做一个单点故障，实验模拟模块外加的输入电容短路，看熔丝能否及时烧断、PCB走线、共模电感

4、有无过高温升。熔丝能够及时保护算通过。2．电源滤波电容的选取和使用2.1耐压降额耐压降额满足公司降额要求。推荐钽电容的耐压要降额到1/3；纹波电流大和冲击电流大可能引起钽电容失效；避免使用大容量钽电容；可用并联的形式；热插拔等电源瞬变场合谨慎选用钽电容表1固体陶瓷电容器降额准则降额降额等级参数ⅡⅢ直流工作电压0.600.70环境温度℃TAM1)－10注：1）最高额定环境温度TAM由元件相关详细规范确定。6表2电解电容器降额准则降额降额等级参数ⅡⅢ直流工作电压－0.75铝电解环境温度℃－TAM－20直流工作电压0.600.70钽电解环境温度℃TA

5、M1)－20注：1)最高额定环境温度TAM由元件相关详细规范确定。关于I级降额I级降额是最大的降额，对元器件使用可靠性的改善最大。超过它的更大降额，通常对元器件可靠性的提高有限，且可能使设备设计难以实现。I级降额适用于下述情况：设备的失效将导致人员伤亡或装备与保障设施的严重破坏；对设备有高可靠性要求，且采用新技术、新工艺的设计；由于费用和技术原因，设备失效后无法或不宜维修；系统对设备的尺寸、重量有苛刻的限制。b)II级降额II级降额是中等降额，对元器件使用可靠性有明显改善。II级降额在设计上较I级降额易于实现。II级降额适用于下述情况：设备的失

6、效将可能引起装备与保障设施的损坏；有高可靠性要求，且采用了某些专门的设计；需支付较高的维修费用。c)III级降额III级降额是最小的降额，对元器件使用可靠性改善的相对效益最大，但可靠性改善的绝对效果不如I级和II级降额。III级降额在设计上最易实现。III级降额适用于下述情况：设备失效不会造成人员和设施的伤亡和破坏；设备采用成熟的标准设计。2.2温度降额工作温度不得超过电容额定温度。有特殊要求的电容需要标注参数，固定纸/塑料薄膜电容器、固定玻璃釉电容器、固定云母电容器、固定陶瓷电容器、可变电容器工作状态下的环境温度较最高额定环境温度低10℃；电

7、解电容器工作状态下的环境温度较最高额定环境温度低20℃。特别注意：电解电容器的最高额定温度等级不同，通常分为+85度，+105度和+125度三种。由于我们的单板电源附近的温度都较高，所以电解电容器的最高额定温度至少应该选+105度。2.3电源滤波方式推荐电源滤波可采用LC、π型滤波。电源滤波建议优选磁珠，然后才是电感，同时电感也要考虑电阻。输入滤波至少需要一级共模滤波，推荐两级共模滤波。对于非隔离式DCDC输入端推荐如下滤波：6330uF：04603020001547uF：0460302000091uF：0460505000230.1uF:04

8、6050300046越小的电容应摆放于越靠近电源输入端的地方。推荐大容量电容必须并联小容量陶瓷或薄膜电容，一方面因为长的引线会有高频干扰，并且去耦电容