化学奥赛自学资料—无机化学全部知识要点及配套练习

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1、奥赛自学资料—无机化学全部知识要点及配套练习一.无机化学(理论部分)知识点应用归纳1、无机物(分子或离子)构型:(1)简单分子(或离子):(2)配合物:2、物质的熔、沸点(包括硬度):(1)晶体类型:原子晶体,离子晶体,金属晶体,分子晶体(2)离子晶体: (3)分子晶体          (4)金属晶体:金属键(与价电子、价轨道有关)3、物质的稳定性:(1)无机小分子:(2)配合物:4、物质的磁性:(1)无机小分子:MO(掌握双原子分子轨道能级图)    (共价双原子分子)(2)配合物:5、物质的颜色:(1)无机小分子:极化理论(2)配合物:6、无机物溶解度:(1)离子晶体:(2)共

2、价化合物:7、物质的氧化还原性:影响因素(1)溶液酸、碱度(2)物质的聚集状态8、化学反应方向:(1)热力学数据:(2)软硬酸碱理论9、分子极性、键的极性、键角、键长等:10、推导元素在周期表中的位置:能级组取值,选择—组合理量子数:四个量子数取值规则11、溶液中有关质点浓度计算:化学平衡,电离平衡,沉淀—溶解平衡,氧化—还原平衡,配合解离平衡:92利用多重平衡规则,K是关键12、常见的基本概念:对角线规则;惰性电子对效应;Lewis酸、碱;质子酸、碱;缓冲溶液;屏蔽效应;钻穿效应;同离子效应;盐效应;镧系收缩;电负性;电离势;电子亲合势;晶格能;键能;有效核电荷及求法等。二.无机化

3、学(元素部分)(1)结构(2)性质:重点是化学性质 第一讲分子结构(molecularstructure)1-1离子键理论一、基本要点活泼金属和活泼非金属的原子反应时,生成的化合物如NaCl等都是离子型化合物,它们具有一些固有的特征,如它们都以晶体的形式存在,具有较高的熔、沸点,在熔融态或水溶液中可导电等。这种由于原子间发生电子转移,生成正负离子,并通过静电库仑作用而形成的化学键称为离子键。通常,生成离子键的条件是两原子的电负性差大于1.7以上,由离子键形成的化合物叫做离子键化合物。二、离子特征1、离子电荷:是指原子在形成离子化合物过程中失去或获得的电子数。正离子电荷通常是+1、+2

4、、+3或+4;阴离子:-1、-2,而-3、-4的负离子一般都是含氧酸根离子或配阴离子。2、离子的电子构型:(1)2e构型:1s2,如Li+,Be2+(2)8e构型:(n-1)ns2(n-1)p6:Na+,Mg2+,Ba2+等(3)9~17e构型:(n-1)ns2(n-1)p6(n-1)d1~9:Fe2+,Mn2+等(4)18e构型:(n-1)ns2(n-1)p6(n-1)d10:Cu+,Ag+,Zn2+等(5)18+2e构型:(n-1)ns2(n-1)p6(n-1)d10ns2:Sn2+,Pb2+等3、离子半径:(变化规律):同一元素:负离子>原子>低价正离子>高价正离子同族元素同价

5、离子:从上→下,半径增大同一周期:从左→右,半径r↓三、晶格能(U)921、定义:指相互远离的气态正离子和负离子结合成1mol离子晶体时所释放的能量绝对值,或1mol离子晶体解离成自由气态离子所吸收的能量的绝对值。2、计算:晶格能不能用实验直接测量,通常有两种方法计算:(1)库仑作用能模型理论计算:A为马德隆(Madelung)常数,与晶格类型有关;n是与原子的电子构型有关的因子;Z1Z2为正负离子的电荷数。上式看出,U与离子的带电荷数成正比,与正负离子核间距r0成反比,与配位数有关,配位数增加,A增大,U增大。(2)玻恩—哈伯(Born—Haber)循环间接计算:例:已知NaF(s

6、)的生成焓,金属Na的升华热,Na的电离热,F2的离解热,F的电子亲合能,试计算NaF的晶格能U。四、离子极化1、基本概念离子间除了库仑力外,诱导力起着重要作用,因为阳离子具有多余的正电荷,半径较小,它对相邻的阴离子会起诱导作用;阴离子半径较大,在外壳上有较多的电子,容易变形,在被诱导过程中能产生瞬时的诱导偶极。阴离子中产生的诱导偶极又会反过来诱导阳离子,阳离子如果易变形(18e-,18+2e-or9~17e-构型半径大的离子),阳离子中也会产生偶极,使阳离子和阴离子之间发生了额外的吸引力。当两个离子接近时,可能使两个离子的电子云重叠,趋向于生成极性较小的键。由离子键向共价键过渡。2

7、、极化力(极化作用):(1)电荷: 阳离子电荷越高,极化力越强(2)半径: 外壳相似电荷相等时,半径小,极化力强。(3)离子构型(阳离子):18e-,2e-,18+2e-,(Ag+、Li+、Pb2+等)>9~17e-(Fe2+、Ni2+、Cr3+)>8e-(Na+、Mg2+等)(4)电荷高的复杂阴离子也具有一定极化作用,如SO42-、PO43- 等3、离子的变形性(1)结构相同的阳离子,正电荷高变形性小O2->F->Ne>Na+>Mg2+>Al3+>Si4

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