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时间：2017-11-11
《8 ii—vi族化合物半导体的能带结构》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、1.8II—VI族化合物半导体的能带结构二元化合物的能带结构ZnS(六角晶）;ZnTe,ZnSe（NaCl,面心立方）导带电子的极大和极小处于k=0价带在布里渊区中心是简并的，具有—个重空穴带和一个轻空穴带，还有一个由自旋—轨道耦合而分裂出来的第三个能带。CdTe:导带极小值Γ6，价带Γ8，分裂的Γ7位于k=0HgTe:导带极小值Γ6位于价带Γ8以下。Eg≤0称之为：半金属或零带隙。导带极小值Γ6位于价带Γ8以下。Eg<0,半金属。Γ6略高于于价带Γ8之上。Eg＝0x增大，Γ8高于Γ6，Eg>0,能带类于CdTe.2.混合晶体的能带结构CdTe＋HgTe:Hg1
2、-xCdxTex的变化能带有半金属向半导体转变。作业：1.自我复习：a.金刚石型结构；b.共有化运动,允带，禁带；c.自由电子能谱，简约的布里渊区，波矢为简约波矢；d.金刚石第一布里渊区；e.导体，半导体、绝缘体的能带；f.有效质量与能带－－势场，外力--电子的加速度；g.本征半导体的导电机构；h.空穴回旋共振与有效质量；i.硅和锗的导带价带结构；j.间接带隙半导体，半金属或零带隙，窄带半导体。
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