电子技术检测题习题解析

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1、第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂

2、移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表

3、棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。二、判断正误:1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(

4、错)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(错)5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错)6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿损坏。(错)8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必被击穿。(错)9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。(错)3310、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。(错)三、选择题:1、单极型半导体器件是(C)。A、二极管;B、双极型三

5、极管;C、场效应管;D、稳压管。2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(C)。A、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=

6、2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在(A)。A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。A、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。A、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波;D、仍为正弦波。9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率PCM;D、管子的电流放大倍数。10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)A、发射结正偏

7、、集电结正偏;B、发射结反偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结反偏;D、发射结反偏、集电结正偏。四、简述题:(每小题4分,共28分)1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?答:这种说法是错误的。因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电子,所以仍呈电中性。2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③

8、3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。答:管脚③和管脚②电压相差0.7V,显然一个硅管,是基极,一个是发射极,而管脚①比管脚②33和③的电位都高,所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则

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