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时间:2018-07-27
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1、用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO/Al背反射电极.txt机会就像秃子头上一根毛,你抓住就抓住了,抓不住就没了。我和你说了10分钟的话,但却没有和你产生任何争论。那么,我们之间一定有个人变得虚伪无比!过错是短暂的遗憾,错过是永远的遗憾。相遇是缘,相知是份,相爱是约定,相守才是真爱。本文由yahoo814贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。维普资讯http://www.cqvip.com第36卷第6期 2007年1 2月一 工 晶体 学 报 人 JURNALO SO FYNTTI CHECRYSAL TSVo.6No613 .
2、 Deee。07cmbr20 用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳 电池ZOA背反射电极 n/I薛俊明,孙 建,任慧志,刘云周,苓伟,.段 周祯华,张德坤,赵颖,新华 耿(南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室; 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津307)001 摘要:本文首先在低温(4 ̄和低功率下采用z:l10C)nA合金靶直流反应磁控溅射法研制ZO:1明导电膜。然后 nA透在单结(lsSO/i/或双结(lsSO/i/i/非晶硅电池上沉积约7ga/n p)sngs/n ppn)an0一lOm厚的ZO透明导电膜,Onn最 后再用电阻蒸发法沉积A电极。
3、实验获得了较好的n/nl ZO界面,实现了ZOA背电极的增反作用,电池的短 n/1使路电流增加13Ac 光电转化效率提高1—%( ̄m/m,3绝对效率)小面积电池效率达到95 ,.%。关键词:晶硅电池;n/1非ZOA复合背电极;背反射;短路电流;转换效率 中图分类号:4408 文献标识码: A文章编号:009520)618-510—8X(070—230 Suyo ntd fZO/A!BakReetro c fco fAmoposSlo lrhu icniSoa lswihDC-anernSteiglrCel t mgto putrn x u—n.UNJaRE ih,UYnzoDUA
4、igwi UEJnmigs in,NHu—il u-hu,zINLn.e.ZHoU e.aZhnhu zHANG .u ZHAo DeknY g GENG n.u Xiha(ntueo ht—lcoiTiFl eisadTcnlg.akinvrt:e aoaoyo Istt foeetnchniDve n ehooyNa isyKyLbrt fiPor mcnUeirPooeetncTi i eisadTcnl fij;e aoaro poltncht—lrihnFlDve n ehooo aiKyLbrtyfterico mcygTnno Oeco IfrtnSineadTcn
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