壳多糖双醛衍生物对等离子体刻蚀的涤纶性能影响

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1、oooooooooo本科生毕业论文2013写在前面的话:大学就这样结束了,直到毕业了也没什么感觉。大一中规中矩没有旷过一次课,只是偶尔迟到一两分钟,得空了就去网吧,玩了一年的网页游戏也看了不少教育片。大二有笔记本了,玩了一年的CF,周五周六经常跟基友一起去网吧通宵打游戏,经常旷课找小伙伴代点名自己蜗在宿舍床上要么打CF要么下教育片。大三了都是专业课,旷课的比较频繁了,玩了一年的龙之谷,遇到一些资格较老的教师的课,必旷,因为这些教师是从不点名的,他们大都是副院长,教授或者老油条之类的,没人管的了他们。大四渐渐的开始去上课了,并不是因为他们的课有多生动,也很少有教师刻意去点名,只是渐

2、渐的布怎么想打游戏了,胸中一片空白,总有一种怅然若失的感觉,但还是玩了一年的艾尔之光。还好,同样有许多我这样混日子的,因此每次交重修费,上重修课的时候,总可以找到一群同胞,我不是一个人在战斗。直到大四上学期的时候我还欠了30多个学分,大四上学期重修了6门课,过了4门,下学期重修了6门,过了4门,还有两门自己给重修教师各种打电话也算是老师可怜,平时分给了95分,但还不够及格,又赶紧去找辅导员,辅导员给教务处管事的联系后,通融下终于给了60分让过了,这才拿到了毕业证跟学位证。相比之下,还有小伙伴大四上学期重修10门,下学期重修若干门的,自然不可能像我这么幸运的吧,还有念大六大七工作了

3、还重修的,当时想想就觉得口怕。毕业到现在两个半月了,真的是直到等到工作了才发现上学的可贵,现在虽然可以自己挣钱,想搞什么装备就弄各种时装,看起来很厉害的样子,工作的辛苦只有自己能体会到。3oooooooooo本科生毕业论文2013废话这么多希望那些像我一样的小伙伴在为数不多的大学时间里,在游戏打累了的时候,能找朋友一起走走,多接触接触那些有本事的老板,闲聊里你能学到找工作时好公司最需要的因素,如果有机会到跟自己专业相关的公司去实习,最好不要错过,不是为了学到什么,而是可以了解下自己以后的工作环境,这样更容易做出觉悟吧大概,如果专业很搓很苦逼完全可以做业务或者转行做物流什么的,既然

4、大学学不到什么,也不能被专业给坑了,但这需要一定的交流沟通能力,学校有各种组织什么的,倒是能培养这些能力,有空了就跟小伙伴多聊聊吧~(/□)毕业论文实验自己亲手做的,用的涤纶织物是淘宝买的,退过浆很薄很白的那种。如有疑问或者特殊需要,请去百度贴吧@一把手。这是小伙伴的论文代上传的,希望能帮到学弟学妹们o(∩_∩)o、、---2013.9.9上传3oooooooooo本科生毕业论文2013oooooo毕业论文壳多糖双醛衍生物对等离子体刻蚀的涤纶性能影响专业oooooooooooo学生姓名oooooo班级ooooooooooooo学号oooooooooo指导教师oooooooo完成

5、日期2013年6月10日3oooooooooo本科生毕业论文2013壳多糖双醛衍生物对等离子体刻蚀的涤纶性能影响摘要:涤纶面料是日常生活中用的非常多的一种化纤服装面料。它最大的优点是抗皱性和保形性很好,因此,非常适合做外套服装。本文研究的是对涤纶进行氧化壳聚糖处理和等离子刻蚀并研究它的性能变化。本文从等离子处理功率,等离子处理时间,氧化壳聚糖浓度,PEG处理时间等工艺参数条件对涤纶织物的亲水性,硬挺度,抗紫外性能及织物染色性能的影响。结果表明氧化壳聚糖2:1,PEG600处理涤纶时,等离子处理功率300w,处理时间3min,氧化壳聚糖浓度8%,氧化壳聚糖及PEG600浸渍时间12

6、0min时涤纶获得较好的织物硬挺度、K/S、抗静电性能和亲水性。利用氧化壳聚糖及等离子体刻蚀后涤纶的亲水性,抗静电性能有较明显改善。关键词:氧化壳聚糖;等离子体;物理技术;PEG27oooooooooo本科生毕业论文2013EffectofOxidizedChitosanonPropertiesofthePlasmaEtchedPolyesterAbstract:Polyesterfabricsarewidelyusedintextilefieldsbecauseofitsmanyadvantagessuchasbetterwrinkleresistanceandshaperet

7、ention.Inthispaper,Polyesterfabricwastreatedbyoxidationofchitosanandplasma.Andthepropertychangeswerealsostudied. Processparameterssuchas theplasmapower,plasmatreatmenttime,oxidationofchitosanconcentrations, and PEGprocessingtime affecting hyd

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