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时间:2018-07-26
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1、会考专题复习(二极管)一、填空1、P型半导体的多数载流子是__________,N型半导体的多数载流子是___________。PN结具有__________导电性。2、理想的二极管,其正向电阻约为,反向电阻约为。3、硅稳压二极管的稳压电路中,限流电阻不仅有作用,也有作用。V0图(1)4、PN结的单向导电性是指:当PN结加正向电压时加反向电压时。5、图(1)电路中,设V1为理想二极管(即导通时压降为零),则V0=V。6、晶体二极管的符号是具有 特性。7、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。8、当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为,锗二极管的正向压降为。9、晶体二极管导通后
2、所加电压过大而_____,并将出现_____的现象,称为热击穿。10、硅二极管门坎电压约为,导通压降约为。11、单相桥式整流电路输出平均电压为36V,则变压器付边电压有效值为。二.选择1、二极管两端加正向电压()A、一定导通B、超过门坎电压才能导通C、超过0.7V才导通2、用万用表正确测量二极管的正反向电阻均为∞,则该二极管()A、击穿短路B、开路C、没有损坏3.当一个二极管正反向阻值均为0时,这个二极管:()A、击穿B、开路C、正常4、半导体的阻值在导通程度增大时:()A、变大B、变小C、不变5.用万用表测量一个47Ω电阻正确的量程是()A.R×1KB.R×100C.R×10D
3、.R×16、二极管的正极电位是-20V,负极电位是-10V,则该二极管()A、反偏B、正偏C、不变7、稳压二极管正常工作时应工作在()区。A、死区B、正向导通C、反向截止D、反向击穿8.半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为()A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体9.用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应当把欧姆档拔到()A.R×100Ω或R×1KΩ档 B.R×1Ω档C.R×10KΩ档D.R×1Ω档或R×10KΩ档10.正确的硅稳压管稳压电路是下面的()。11.在桥式整流电容滤波电路中,带负载时的输出电压为30V,空载时输出电压为()。A、47VB、
4、35VC、70VD、42V12.如图所示整流电路中负载电阻RL上电压和电流的方向是()A.电压方向上正下负,电流方向自上而下。B.电压方向上负下正,电流方向自上而下。C.电压方向上正下负,电流方向自下而上。D.电压方向上负下正,电流方向自下而上。三、判断1.用万用表R×100的殴姆挡测量一只半导体二极管,其正反向电阻都呈现出很小的阻值,则这只二极管的PN结已被烧断。()2、在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()3、在纯净的半导体中掺了杂质后,其导电能力大大增强。()4、桥式整流电路中的一个二极管接反时,电路将变成半波整流电路。()5、用万用表R×100的欧姆
5、挡测量一只晶体管,当基极判定后用黑表棒接到基极,红表棒分别和另外两个极相接,若测得的两个阻值都很小,说明该管为PNP型晶体管。()6、硅二极管两端加上正向电压时,二极管就导通。()7、稳压管可以串联使用,但即使是同型号的稳压管都不能并联使用。()8、在半导体内部,只有电子是载流子。()9、晶体二极管击穿后立即烧毁。()10、硅稳压二极管内部也有一个PN结,但其正向特性同普通二极管一样。()四、分析计算1、图中,试分析输入端a,b问输入交流电压V时,通过R1、R2两电阻上的是交流电,还是直流电?10%2、电路图元件填空题(每个虚线框填入一个正确的电路元件)整流滤波稳压电路。(4分)
6、3.有一直流负载,需要直流电压VL=60V,直流电流IL=4A,若采用桥式整流电路,求(1)变压器次级电压V2。(2)流过二极管的平均电流及二极管承受的反向峰值电压(3)若在电路中接入适当电容C,变压器次级绕组电压不变,则输出电压变为多少?(共8分)
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