光伏基础知识培训

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1、光伏基础知识培训本文由wshli315贡献ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。光伏行业基础知识内部培训2011-3-7目录1234太阳电池技术光伏组件技术组件失效现象相关问题探讨www.bjcorona.com北京科诺伟业科技有限公司单晶和多晶单晶硅硅棒多晶硅硅锭单晶硅主要是125×125mm和156×156mm两种规格多晶硅主要是156×156mm规格单晶硅硅片因为使用硅棒原因，四角有圆形大倒角，而多晶硅硅片一般采用小倒角。单晶的转换效率高，但产能低、能耗大；多晶的转换效率相对较低，但能

2、耗低、产能大，适合于规模化生产。www.bjcorona.com北京科诺伟业科技有限公司www.bjcorona.com北京科诺伟业科技有限公司单晶硅和多晶硅太阳电池单晶硅太阳电池多晶硅太阳电池多晶硅硅片相对于单晶硅硅片，有明显的多晶特性，表面有一个个晶粒形状，而单晶硅硅片表面颜色一致。实验室最高效率：单晶24.7%，多晶20.3%生产效率：单晶19%，多晶17%www.bjcorona.com北京科诺伟业科技有限公司晶体硅太阳电池结构正面电极减反射膜n型硅p型硅背面电极太阳电池是将太阳光能直接转变为直流电能的阳光发电装置。当光线照射太

3、阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在PN结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实质是：光子能量转换成电能的过程。pn结www.bjcorona.com北京科诺伟业科技有限公司晶体硅太阳电池制备工艺制绒和清洗扩散制PN结背面周边刻蚀制减反射膜丝网烧结档测试丝网印刷正电极分类检测包装丝网印刷背电场原硅片丝网印刷背电极PECVD刻蚀和去磷硅玻璃扩散制绒www.bjcorona.com北京科诺伟业科技有限公司制绒

4、和清洗硅片清洗机械损伤层约10微米在硅片的切割生产过程中会形成厚度达10微米左右的损伤层，且可能引入一些金属杂质和油污。如果损伤层去除不足，残余缺陷在后续的高温处理过程中向硅片深处继续延伸，会影响到太阳电池的性能。单晶硅片的清洗采用碱液腐蚀技术多晶硅片的清洗采用酸液腐蚀技术由于绒面结构的存在，入射光经绒面第一次反射后，反射光并非直接入射到空气中，而是遇到邻近绒面，经过邻近绒面的第二次甚至第三次反射后，才入射到空气中，这样对入射光就有了多次利用，从而减小了反射率。表面没有绒面结构的硅片对入射光的反射率大于30%，有绒面结构的硅片对入射光的

5、反射率减小到了12%左右。www.bjcorona.com北京科诺伟业科技有限公司清洗的目的：清除硅片表面的机械损伤层；清除表面油污和金属杂质；形成起伏不平的绒面，减小太阳光的反射。清洗设备www.bjcorona.com北京科诺伟业科技有限公司扩散制PN结p型硅片石英炉磷化合物分子n型硅p型硅磷原子把p型硅片放在一个石英容器内，同时将含磷的气体通入这个石英容器内，并将此石英容器加热到一定的温度，这时施主杂质磷可从化合物中分解出来，在容器内充满着含磷的蒸汽，在硅片周围包围着许许多多的含磷的分子。磷化合物分子附着到硅片上生成磷原子。由于硅

6、片的原子之间存在空隙，使磷原子能从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。如果扩散进去的磷原子浓度高于p型硅片原来受主杂质浓度，就使得p型硅片靠近表面的薄层转变成为N型。N型硅和P型硅交界处就形成了PN结。磷扩散的方法——丝网印刷磷浆料后链式扩散目前行业上普遍采用第一种方法，这种方法具有生产效率较高，得到的PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点。www.bjcorona.com北京科诺伟业科技有限公司磷扩散的目的：制备太阳电池的核心——PN结；吸除硅片内部的部分金属杂质。管式扩散炉www.bjcorona.co

7、m北京科诺伟业科技有限公司背面及周边刻蚀n型硅扩散后的硅片p型硅扩散后的硅片除了表面的一薄层N型硅外，在背面以及周边都有N型硅薄层，而晶体硅太阳电池实际只需要表面的N型硅，因此须去除背面以及周边的N型硅薄层。背面以及周边刻蚀的目的：去除硅片背面和周边的PN结；去除表面的磷硅玻璃。www.bjcorona.com北京科诺伟业科技有限公司背面以及周边刻蚀的方法：湿法刻蚀——具有各向同性。但是对于Si片，一些碱性刻蚀液如：KOH和异丙醇(IPA)混合刻蚀液，对Si的不同晶面有不同的刻蚀速率，并且各个晶面的速率可以调节，从而形成需要的倾斜侧壁结

8、构，而这种倾斜的侧壁采用干法刻蚀是无法获得的，同时化学腐蚀的设备成本大大低于干法腐蚀技术，而且湿法刻蚀操作简便，对设备要求低，易于实现大批量生产，刻蚀的选择性也好。干法刻蚀（等离子体刻蚀）——具有各向异性，