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1、摘要近年来，以电池作为电源的电子产品得到广泛使用，迫切要求采用低电压的模拟电路来降低功耗，所以低电压、低功耗模拟电路设计技术正成为研究的热点。本文主要讨论电感负反馈cascode-CMOS-LNA（共源共栅低噪声放大器）的噪声优化技术，同时也分析了噪声和输入同时匹配的SNIM技术。以噪声参数方程为基础，列出了简单易懂的设计原理。为了实现低电压、低噪声、高线性度的设计指标，在本文中使用了三种设计技术。第一，本文以大量的篇幅推导出了一个理想化的噪声结论，并使用Matlab分析了基于功耗限制的噪声系数，取得最优化的晶体管尺寸。第二，为了实现低电压设计，引用了一个折叠式的共源共栅结构低
2、噪声放大器。第三，通过线性度的理论分析并结合实验仿真的方法，得出了设计一个高线性度的最后方案。另外，为了改善射频集成电路的器件参数选择的灵活性，在第四章中使用了一种差分结构。所设计的电路用CHARTER公司0.25μmCMOS工艺技术实现，并使用Cadence的spectreRF工具进行仿真分析。本文使用的差分电路结构只进行了电路级的仿真，而折叠式的共源共栅电路进行了电路级的仿真、版图设计、版图参数提取、电路版图一致性检查和后模拟，完成了整个低噪声放大器的设计流程。折叠式低噪声放大器的仿真结果为：噪声系数NF为1.30dB，反射参数S11、S12、S22分别为-21.73dB、
3、-30.62dB、-23.45dB，正向增益S21为14.27dB，1dB压缩点为-12.8dBm，三阶交调点IIP3为0.58dBm。整个电路工作在1V电源下，消耗的电流为8.19mA，总的功耗为8.19mW。所有仿真的技术指标达到设计要求。关键字：低噪声放大器；噪声系数；低电压、低功耗；共源共栅；噪声匹配ABSTRACTInrecentyears,electronicswithbatterysupplyarewidelyused,whichcriesforadoptinglowvoltageanalogcircuitstoreducepowerconsumption,sol
4、owvoltage,lowpoweranalogcircuitdesigntechniquesarebecomingresearchhotspot.ThispapermainlydiscussesnoisefigureoptimizationtechniquesforinductivelydegeneratedcascodeCMOSlow-noiseamplifiers(LNAs)withon-chipinductors.Anditreviewsandanalyzessimultaneousnoiseandinputmatchingtechniques(SNIM).Basedo
5、nthenoiseparameterequations,thispaperprovidesclearunderstandingofthedesignprinciple.Inordertoachievelow-voltage,lownoise,high-linearityofthedesignspecifications,inthispaperbythreedesigntechnology.Firstly,usingMatlabtoolanalyzesnoisefigurebasedonpower-constrained,andobtaintheoptimumtransistor
6、size.Secondly,designafolded-cascode-typeLNAtoreducethepowersupper.Third,throughtheoreticalanalysisofLinearandcombinesimulationmethods,Iobtainafinaldesignofahigh-linearity.Ontheotherside,inordertoimprovetheradiofrequencyintegratedcircuitdeviceparametersofflexibility,thispaperpresentsadifferen
7、ceinthestructureinthefourthchapter.Theproposedcircuitdesignisrealizedusingcsm25RF0.25μmCMOStechnology,simulatedwithCadencespecterRF.Basedoncsm25RF0.25μmCMOStechnology,theresultingdifferentialLNAachieves1.32dBnoisefigure,-20.65dBS11,-24dBS22,-30.27S
