最经典的霍尔效应与范德堡测试方法

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1、范德堡测试方法与变温霍尔效应摘要：本实验采用范德堡测试方法，测量样品霍耳系数及电导率随温度的变化，可以确定一些主要特性参数——禁带宽度，杂质电离能，电导率，载流子浓度，材料的纯度及迁移率，从而进一步探讨导电类型，导电机理及散射机制。关键词：霍尔效应、范德堡测试法、霍尔系数、电导率引言：对通电导体或半导体施加一与电流方向相垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，此即为霍耳效应。利用霍尔效应测量霍耳系数及电导率是分析半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征

2、，是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试方法。一、原理部分：（一）、半导体内的载流子根据半导体导电理论，半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离。1、本征激发在一定的温度下，由于原子的热运动，价键中的电子获得足够的能量，摆脱共价键的束缚，成为可以自由运动的电子。这时在原来的共价键上就留下了一个电子空位，邻键上的电子随时可以跳过来填充这个空位，从而使空位转移到邻键上去，因此空位也是可以移动的。这种可以自由移动的空位被称为空穴。半导体不仅靠自由电子导电，而且也靠这种空穴导电。半导体

3、有两种载流子，即电子和空穴。从能带来看，构成共价键的电子也就是填充价带的电子，电子摆脱共价键而形成一对电子和空穴的过程，就是一个电子从价带到导带的量子跃迁过程，如图1所示。纯净的半导体中费米能级位置和载流子浓度只是由材料本身的本征性质决定的，这种半导体称本征半导体。本征半导体中，在电子—空穴对的产生过程中，每产生一个电子，同时也产生一个空穴，所以，电子和空穴浓度保持相等，这个共同的浓度用表示，称为本征载流图1本征激发示意图子浓度。这种由半导体本身提供，不受外来掺杂影响的载流子产生过程通常叫做本征激发

4、。2.、杂质电离绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质，它们在常温下的导电性能，主要由浅杂质决定。浅杂质分为两种类型，一种是能够接收价带中激发的电子变为负离子，称为受主杂质。由受主杂质电离提供空穴导电的半导体叫做P型半导体如图2（a）所示。还有一种可以向半导体提供一个自由电子而本身成为正离子，称为施主杂质。这种由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做n型半导体，如图2（b）所示。图2（a）受主杂质提供空穴到导电（b）施主杂质电离提供电子导电设P型半导体中含有一种受主杂质，能级为，空穴密度为，价带

5、顶能级为，为价带有效能级密度。在足够低的温度下，载流子是价带中电子激发到受主能级后所留下的空穴。这时价带中的空穴数目P和占有电子的受主能级数目相等。在T很低，kT比小很多时，（1）上式两边取对数得（2）做曲线，它近似成直线，由此直线的斜率可求得受主杂质的电离能。在T较高时，(3)说明这时受主杂质已几乎完全电离，价带中的空穴数已接近受主杂质数，处于杂质电离饱和区。同理对n型半导体可以得出电子浓度：（4）式中为导带有效能级密度，为导带底能级，为受主密度，为受主杂质能级。两边取对数：（5）作曲线，它近似为

6、一直线，由此直线斜率可求得施主杂质的电离能。（二）、载流子的电导率在一般电场情况下，半导体导电也服从欧姆定律，电流密度与电场成正比：j=σE（6）从理论可知，电导率σ与导电类型和载流子浓度有关，当混合导电时：图3电导率与温度其中和分别为电子和空穴的迁移率，可见电导率决定于两个因素：载流子浓度和迁移率。图3表示电导率σ随温度变化的规律，可分为三个区域：杂质部分电离的低温区（B点右侧）、杂质电离饱和的温度区（A，B之间）、本征激发的高温区（A点左侧）。（三）、霍耳效应1、霍耳效应霍耳效应是一种电流磁效应

7、（如图4）。当样品通以电流I，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍耳电势差：（7）与样品厚度d成反比，与磁感应强度B和电流I成正比。比例系数叫做霍耳系数。当电流通过样品（假设为p型）时，垂直磁场对运动电荷产生一个洛伦兹力,使电荷产生横向的偏转。偏转的载流子停在边界积累起来，产生一个横向电场E，直到电场对载流子的作用力F=qE与磁图4霍尔效应示意图场作用的洛伦兹力相抵消为止，即（8）这时电荷在样品中流动时将不再偏转，霍耳电势场就是由这个电场建立起来的。如果样品是n型，则横向电场与前者相反，所

8、以n型样品的霍耳系数有不同的符号，据此可以判断材料的导电类型。2、一种载流子导电的霍耳系数设p型样品的p>>n，宽度为w，通过样品电I=pqvwd,，则空穴的速度v=I/pqwd,代入式（8），有可以得到（9）与（7）式相比得(10)对于n型样品，其霍耳系数为（11）由式（9）、（10）可得霍耳系数（12）式中的是霍耳电压，单位为V；I,B和d的单位分别是A,T和cm.考虑到载流子运动的速度是遵循麦克斯韦速度分布，不断受到晶格和电离杂质散射等影响而改变的，霍耳系数的公