常见电子元件选型方法

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1、电子元器件选型目录一、集成电路1二、二极管1三、功率MOS2四，三极管3五，电解电容3六，瓷片电容4七，薄膜电容4八，电阻5九，磁性元件6十，金属氧化物压敏电阻MOV6十一，印刷电路板7十二，保险丝7十三，光耦8电子元器件选型主要注意的几个参数和标准，大家可以参考一下，这些都是比较保守的值，在实际使用中还可以根据需要适当提高。一、集成电路因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。我们通常规定：1，最大工作电压，不超过额定电压80%2，最大输出电流，不超过额定电流75%3，结温，最大

2、85摄氏度，或不超过额定最高结温的80% 二、二极管二极管种类繁多，特性不一。故而，有通用要求，也有特别要求：通用要求：长期反向电压<70%～90%×VRRM（最大可重复反向电压）最大峰值反向电压<90%×VRRM正向平均电流<70%～90%×额定值正向峰值电流<75%～85%×IFRM正向可重复峰值电流对于工作结温，不同的二极管要求略有区别：信号二极管<85～150℃玻璃钝化二极管<85～150℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～

3、115℃肖特基二极管<85～115℃稳压二极管（<0.5W）<85～125℃稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。这里很多指标给的是个范围，因为不同的可靠性要求和成本之间有矛盾。所以给出一个相对比较注重可靠性的和一个比较注重成本的两个值供参考。下面同理。 三、功率MOSVGS<85%×VGSmax(最大栅极驱动电压)ID_peak<80%×ID_M(最大漏极脉冲电流)VDS

4、<80～90%×额定电压dV/dt<50%～90%×额定值结温<85℃~80%×Tjmax(最大工作结温)Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。 四，三极管所有的电压指标都要限制在85%的额定值之下功率损耗不超过70%～90%额定值IC必须在RBSOA(反偏安全工作区)与FBSOA(正偏安全工作区)范围内降额30%（就是额定的70%）结温不超过85～125℃Tcase(外壳温度)≤0.75×Tjmax-2×θjc

5、×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。 五，电解电容铝电解电容是开关电源中一个非常重要的元件。而很多开关电源的故障率偏高，都是因为对铝电解的使用不当造成的。由于铝电解的重要性，我们对他的研究比较多，因而制定出来的规则也比较多。1，Vdc+Vripple<90%×额定电压2，在电容体之下，PCB正面，尽量不要有地线之外的其他走线。3，纹波电流，这个问题比较复杂，因为开关电源中，纹波电流的频谱是非常丰富的，所以必须把纹波电流折算一下： 频率因子，供应商应该可以提供的。纹

6、波电流必须保证在供应商的额定值的70%～90%之内。4，电解电容的初始容量要保证20%的裕量。同时，要保证额外的20%的容量裕量，以应对寿命快到时的容量衰减。5，电解电容的寿命温度加速因子为2每10℃，也就是说，温度每升高10度，寿命减半。6，壳温Tcase受限于设计寿命。7，自温升<5℃，所谓自温升，是指电容实际工作时，完全因为自身发热导致的温升。 六，瓷片电容工作电压<60%～90%×额定电压表面温度<105℃自温升<15℃或由规格书定义，以低的为准。 七，薄膜电容1，在开关电源中，不要使用聚苯乙烯电容，因为聚苯乙烯

7、电容耐热比较差。2，表面温度<85℃，超过85℃耐压按照下图降额使用。此处的电压指的是直流电压叠加交流峰值电压。  3，聚酯电容自温升<8℃或由规格书定义，以低的为准4，聚丙烯电容自温升<5℃或由规格书定义，以低的为准5，薄膜电容的使用寿命取决于电压值和电压脉冲的上升速率。允许的脉冲数量和电压值以及脉冲斜率的关系，如下式： 其中：Npulse为脉冲总数Vr,max最大额定直流电压Vapplied实际使用峰峰值电压(dv/dt)max最大额定脉冲斜率(dv/dt)applied实际使用脉冲斜率 八，电阻电阻可以分为三大类：

8、固定线性电阻、固定非线性电阻、可变电阻固定线性电阻包括：碳膜、金属膜、金属氧化膜、金属釉、碳质等电阻和绕线电阻。固定非线性电阻包括：NTC、PTC电阻的可靠性主要取决于电阻的温度，而温度则是环境温度和自身功率损耗产生热量后叠加的效果。功率和电压都对电阻的选择与使用产生限制： 从图中可以知道，对于阻值低于临界阻值的电阻