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时间:2018-07-23
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1、选择正确答案填入空内。(1)在本征半导体中加入A元素可形成N型半导体,加入C元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(2)PN结加正向电压时,空间电荷区将A。A.变窄B.基本不变C.变宽(3)设二极管的端电压为vD,则二极管的电流方程是c。A.B.C.(4)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将a。A.增大B.不变C.减小(5)稳压管的稳压区是其工作在c。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(6)稳压二极管稳压时,其工作在(c),发光二极管发光时,其工作在(a)。A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区6.2将正确答案填入空内。(1)图P6.2(a)所示电路中二极管为理想器件,则D1工作
2、在状态,D2工作在状态,VA为V。图P6.2(a)图P6.2(b)+_D1D2++__3V6VR5kΩ+Vi=30V_SR22kW2CW51.5kWR1VA1A22解:截止,导通,-2.7V。(2)在图P6.2(b)所示电路中稳压管2CW5的参数为:稳定电压Vz=12V,最大稳定电流IZmax=20mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别为、、;当开关S断开时,其读数分别为、、。解:12V,12mA,6mA,12V,12mA,0mA。6.3电路如图P6.3所示,已知vi=56sinωt(v),试画出vi与vO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不
3、计。+图P6.3+_vi_vo图P6.4+_vi_voRRDD1D23V3V+++__6.4电路如图P6.4所示,已知vi=5sinωt(V),二极管导通电压VD=0.7V。试画出电路的传输特性及vi与vO的波形,并标出幅值。 图P6.4的解:当vi为正半周时,D1截止,D2导通,vO=-2.3V。当vi为负正半周,且小于-3时,D1截止,D2仍导通,vO大于-3V后,;vO=vi。 vi1/V 6.5电路如图P6.5(a)所示,其输入电压vi1和vi2的波形如图(b)所示,二极管导通电压VD=0.7V。试画出输出电压vO的波形,并标出幅值。图P6.5vi1RD1+VCC(5V)D2vi2t3
4、t3vi2/V(a)(b)vo0.30.3 解:uO的波形如解图P1.2所示。解图P1.26.6电路如图P6.6所示,(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和Vo的值;(2)在室温(300K)的情况下,利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。图P6.6_voR=1kΩD1+D2VCC(10±1V)解(1)求二极管的电流和电压(2)求vo的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示,温度T=300K。当rd1=rd2=rd时,则的变化范围为,即1.406V~1.394V。6.7(有错)电路如图P6.7所示,设二极管是理想的。(a)画出它的传输特性;(b)若输入电压vI=vi
5、=20sinωtV,试根据传输特性绘出一周期的输出电压vo的波形。解(a)画传输特性图P6.7+_vi_voR1D1D212V10V+++__6kΩR2R312k12k1.vI=0时,D2导通,D1截止,或VI单独作用+_vi_voR1D1D212V10V+++__6kΩR2R312k12k2.-10V<vI<0时,D2导通,D1截止,3.-10V=vI<12V时,D1,D2均截止,vo=vI;4.0<vI<12V时,D2导通,D1截止12V单独作用+_vi_voR1D1D212V10V+++__6kΩR2R312k12k5.vI≥12V时,D1、D2均导通,10V单独作用+_vi_voR1D
6、1D212V10V+++__6kΩR2R312k12k传输特性。6.8二极管电路如图6.8所示,试判断各图中的二极管是导通还是截止,并求出AB两端电压VAB,设二极管是理想的。图P6.8_VABD_R5kΩD26V12V12VD1++AABBVAB15V_D212VD1+ABVAB6VR5kΩR5kΩ(a)(b)(c)解:图a:将D断开,以B点为电位参考点,D的阳极电位为-6V,阴极电位为-12V,故D处于正向偏置而导通,VAB=–6V。图b:对D1有阳极电位为0V,阴极电位为-12V,故D1导通,此后使D2的阴极电位为0V,而其阳极为-15V,故D2反偏截止,VAB=0V。图c:对D1有阳
7、极电位为12V,阴极电位为0V,对D2有阳极电位为12V,阴极电位为-6V.故D2更易导通,此后使VA=-6V;D1反偏而截止,故VAB=-6V。6.9二极管电路如图P6.9所示,设输入电压vi(t)波形如图b所示,在0<t<5ms的时间间隔内,试绘出vo(t)的波形,设二极管是理想的。解vI(t)<6V时,D截止,vo(t)=6V;vI(t)≥6V时,D导通vo(t)的波形如图P6.9(c)所示
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