四、 等离子体与壁的相互作用(至偏滤器).

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时间:2018-07-22

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1、四、离子体与器壁的相互作用导言1:第一壁的三个作用(燃烧plasma)(1)保证高真空;(2)吸收a粒子能量、辅助加热的能量(3)能将聚变反应产生的He离子中性化,再抽出托卡马克。导言2:等离子体与第一壁表面的相互作用(PSI:plasmasurfaceinteraction)不可避免,是磁约束聚变的必需面临的问题。导言3:面对等离子体材料和等离子体间的相互作用非常复杂,主要考虑两种影响。(1)器壁对等离子体的影响面向等离子体物质材料放出的各种粒子(包括所吸附的工作气体、杂质气体和组成材料本身的元素),进入等离子体约束区后对等离子

2、体约束特性造成的影响。(2)等离子体对器壁的影响器壁材料受等离子体中粒子、辐射作用后产生损伤。1.托卡马克燃烧plasma对PlasmaFacingMaterials(PFMS)的相互作用――概要介绍●相互作用中的主要载能体:●燃烧等离子体中的中子(14.1Mev);●燃烧等离子体中的阿尔法粒子(3.5Mev);●D、T离子,电子:(通常情况,主要由离子造成第一壁损失)●电磁辐射(x射线,紫外、可见、红外热);附:托卡马克中流向壁的热通量与其他过程的比较太阳表面的辐射通量●相互作用的形式(解释部分术语)――――――――――上图中相

3、关名词解释:物理溅射:入射粒子(高于阈能)+固体原子è自由原子or离子;特性:l入射粒子、靶原子之间的传递有关(传递系数∝M1M2/(M1+M2)2l与靶物质的表面能有关;l与入射粒子、靶物质的化学性质无关;l与靶物质温度无关;l任何物质均可以被物理溅射。辐射增强升华(Radiationenhancedsublimation,RES);发生区域T>1500oC;在高能粒子轰击下,靶材料内部产生间隙原子、空穴(成对产生);当靶材料温度低时,间隙原子、空穴很快复合;当靶材料温度高时,间隙原子向靶表面运动,间隙与周围原子的结合能低,可以

4、热解吸èèè辐射增强升华。碳、金属均可以产生辐射增强升华。化学溅射:入射粒子与固体表面物质结合,形成可挥发的分子。在PFMs中主要发生在碳材料中,如H、O与C结合成CH或CO等(说明:以上过程直接造成物质损耗,以下过程造成物性恶化)起泡:大量氦气进入器壁会引起壁材料起泡等物理现象,使材料性能变质辐照损伤:长期高能中子辐照使材料原子核发生位移,肿胀、硬化、脆化和蠕变等变化;核活化:元素与中子发生核反应,产生新的放射性核素。再沉积(redeposition):见下图。―――――――――――●在上面多种作用下,聚变堆第一壁必须满足指标要

5、求:(1)高热导率,高熔点,在稳态运行下,能承受10MW/m2的热通量;(2)高腐蚀率,具有可以接受的使用寿命(如在ITER中可以放电3000次,ITER每次放电1000秒);(3)高机械强度;(4)低出气率;(5)第一壁中氚滞留的质量不能超过350克。●对第一壁作用中的基本问题壁处理:除去杂质(Z>2,特别是氧)、降低氘(氢)的再循环;面对等离子体的材料选择低Z(主要是碳、铍)材料、高Z材料:W、Mo,腐蚀和再沉积;氚的滞留和去除;中子辐照(邱励俭书有详细论述)中子造成材料损伤的说明对材料性能影响最大的是中子辐照;而且需要中子穿

6、过第一壁、进入包层(在包层中通过反应生产氚,产生热量发电)。中子造成的损伤有:Ø产生原子位移,造成缺陷(可由退火过程逆转);Ø脆化、肿胀(swelling)(不可逆转);Ø原子嬗变(不可逆)。●等离子体与第一壁相互作用的影响结果对壁:造成壁材料损伤(辐照、活化、蒸发、溅射、起泡)、影响系统安全、寿命;对等离子体:等离子体参数、能量约束时间下降。●等离子体与第一壁相互作用的实验例子Ø托卡马克放电对第一壁的影响êêêêêêêêêê.Ø第一壁材料对托卡马克等离子体的影响(涡流等电磁effects除外)影响1:壁物质成分进入等离子体,影响

7、燃料粒子再循环壁循环解释:离子约束时间小于放电时间;一次放电中,离子与壁作用多次(碰壁复合,成为中性粒子,被壁吸附,受热或轰击后进入等离子体,再次电离,由此反复循环);希望:循环小。上图:在不同壁处理条件下,注入H2后H2分压随时间的变化。(O)nodischarge;(●)硼化;(+),硅化;(æ)镀锂膜。&结果:氢循环,镀Li最好(氢最低)&H循环机理:u壁材料可以物理吸附、或化学吸附H2分子;u硼化壁吸收H2.ààH2循环高u硅化、镀锂膜时,壁不吸附H2,对H原子、离子由很强的亲合力ààH2循环低。影响2:壁材料进入等离子体

8、,有效Z提高,等离子体辐射功率增加(有图说明)上图:不同壁处理下芯部等离子体热辐射随时间的变化(HL-1M)●沉积B4C膜(硼化)DC辉光放电镀膜,气体:C2B10Hè沉积a-B/C:H,厚度50–70nm;●沉积硅膜(硅化)DC放电,气体:He+

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