mosfet单相桥式无源逆变电路设计

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时间:2018-07-22

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1、目录MOSFET和电压型无源逆变电路简介...................................................11.MOSFET简介.........................................................................................12.电压型无源逆变电路简介..................................................................

2、..1主电路图设计和参数计算........................................................................21.主电路图设计.........................................................................................22.相关参数计算..........................................................

3、..............................2驱动电路的设计和选型............................................................................41.驱动电路简介.........................................................................................42.驱动电路的选用..........................

4、..........................................................4电路的过电压保护和过电流保护设计....................................................51.过电压保护............................................................................................52.过电流保护................

5、............................................................................73.保护电路的选择以及参数计算............................................................8MATLAB仿真..........................................................................................

6、...101.主电路图以及参数设定......................................................................102.仿真结果..............................................................................................14总结与体会.......................................................

7、.......................................15附录:电路图..........................................................................................16一、一、MOSFET和电压型无源逆变电路的介绍1.MOSFET简介金属-氧化层半导体场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFE

8、T)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effecttransistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为“N型”与“P型”的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。2

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