实验二+光的单缝衍射实验

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1、实验二光的单缝衍射实验衍射和干涉一样，也是波动的重要特征之一。波在传播过程中遇到障碍物时，能够绕过障碍物的边缘前进。这种偏离直线传播的现象称为波的衍射现象。波的衍射现象可以用惠更斯原理作定性说明，但不能解释光的衍射图样中光强的分布。菲涅耳发展了惠更斯原理，为衍射理论奠定了基础。菲涅耳假定：波在传播过程中，从同一波阵面上各点发出的子波，经传播而在空间相遇时，产生相干叠加。这个发展了的惠更斯原理称为惠更斯－菲涅耳原理【实验目的】1．研究单缝夫琅禾费衍射的光强分布;2．测定单缝衍射光强分布，加深对衍射理论的了解;3．学习使用光电元件进行光强

2、相对测量的方法。【实验仪器】缝元件、光学实验导轨、半导体激光器、激光功率指示计、白屏、大一维位移架、十二档光探头。【实验原理】（一）产生夫琅禾费衍射的各种光路夫琅禾费衍射的定义是：当光源S和接收屏S都距离衍射屏D无限远（或相当于无限远）时，在接收屏处由光源及衍射屏产生的衍射为夫琅禾费衍射。但是把S和S放在无限远，实验上是办不到的。在实验中常常借助于正透镜来实现，实际接收夫琅和费衍射的装置有下列两种。1．焦面接收装置（以单缝衍射为例来说明，下同）afsL1DL2SqP0Pq图1把点光源S放在凸透镜L1的前焦点上，在凸透镜L2的后焦面上接

3、收衍射场（图1）2．远场接收装置在满足远场条件下，狭缝前后也可以不用透镜，而获得夫琅禾费衍射图样。远场条件是：①光源离狭缝很远，即，其中R为光源到狭缝的距离，a为狭缝的宽度；②接收屏离狭缝足够远，即，Z为狭缝与接收屏的距离。（至于观察点P，在的条件下，只要要求P满足近轴条件。）图2为远场接收的光路，其中假定一束平行光垂直投射在衍射屏上。图2如图1所示，从光源S出发经透镜L1形成的平行光束垂直照射到缝宽为a的狭缝D上，根据惠更斯－菲涅耳原理，狭缝上各点都可看成是发射子波的新波源，子波在L2的后焦面上叠加形成一组明暗相间的条纹，中央条纹最

4、亮亦最宽。aZDSqP0Pq图2（二）夫琅禾费衍射图样的规律1．单缝的夫琅禾费衍射实验中以半导体激光器作光源。由于激光束具有良好的方向性，平行度很高，因而可省去准直透镜L1。并且，若使观察屏远离狭缝，缝的宽度远远小于缝到屏的距离（即满足远场条件），则透镜L2也可省略。简化后的光路如图3所示。实验证明，当Z约等于100cm，a约等于8´10-3cm时，便可以得到比较满意的衍射花样。图3中，设屏幕上P0（P0位于光轴上）处是中央亮条纹的中心，其光强为I0，屏幕上与光轴成q角（q在光轴上方为正，下方为负）的Pq处的光强为Iq，则理论计算得出

5、：zaDSqP0Pq图3（1）其中：式中q为衍射角，l为单色光的波长，a为狭缝宽度，由式（1）可以得到：（1）当即（）时，，光强最大，称为中央主极大。在其他条件不变的情况下，此光强最大值I0与狭缝宽度a的平方成正比。（2）当时（k=±1,±2,±3），，出现暗条纹。在q很小时，可以用q代替sinq。因此，暗纹出现在的方向上。显然，主极大两侧两暗纹之间的角距离，为其他相邻暗纹之间角距离的两倍。（3）除了中央主极强以外，两相邻暗纹之间都有一次极强出现在位置上，要求b值为：±1.43p，±2.46p，±3.47p，…对应的sinq值，，…，

6、各次极强的强度依次为0.047I0，0.017I0，0.008I0…。-p-2p-3pp2p3p1Iq/I0b0.0470.0170.0080.0470.0170.0081.43p2.46p3.47p-1.43p-2.46p-3.47p图4以上是单缝夫琅禾费衍射的理论结果，其光强分布曲线如图4所示。2．测量光强的元件－光电池光电池是利用半导体的光电效应制成的元件，常用的光电池有硒光电池和硅光电池两种。如果把功率指示计连接到光电池的两极，同时用光照射光电池表面，电路中就会有光电流。在照度不太大时，光电流与入射光通量成正比，叫做线性响应。

7、线性响应范围与负载电阻的阻值Rg有关，当Rg＝0时，可得到最大的线性响应范围。因此，在实际应用中，要选用低内阻的电流计。【实验步骤】1、将导轨平稳地放置在一个坚固的平台上。2、将半导体激光器放置于导轨的一端，缝元件架紧靠激光器放置，将一维位移架放置在导轨的另一端，放上12档光探头并锁紧，调节光探头到一维位移架的中间区域。3、调整激光器指向方位和光探头的高低，使激光准确进入探测光栏孔。4、在缝元件架上放上缝元件，根据实验内容将要被测的缝或光栅调入光路，在光探头端就会出现一条干涉或衍射图案。5、旋转探头上的光栏盘使0.2mm缝光栏进入探测

8、位置。6、转动一维位移架上的丝杠钮，使探头从一端向另一端进行扫描探测，每隔0.5－1mm记录一次光电流的数值。7、根据测量数据，在坐标纸上作出相对光强Iq/I0（即相对电流jq/j0）与位置X的关系曲线，也即衍射光强分布