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《我爱奥赛网2007年第四届我爱奥赛杯化学联赛试题》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、2007年全国高中学生化学竞赛（省级赛区）模拟试题（2007年9月4日9：00-12：00共计3小时）题号123456789101112总分满分5461168121191189100得分评卷人l竞赛时间3小时。迟到超过30分钟者不能进考场。开始考试后1小时内不得离场。时间到，把试卷(背面朝上)放在桌面上，立即起立撤离考场。l姓名、考号和所属学校必须写在首页左侧指定位置，写在其他地方者按废卷论。l请将答案写在指定的位置。l允许使用非编程计算器以及直尺等文具。第1题（5分）、最近美国科学家利用世界上最大的绿湾射电天文望远镜(
2、RobertC.ByrdGreenBankTelescope，简称GBT)所得到的太空数据，发现了宇宙空间中迄今为止最大的负离子(anion)C8H—。这也是科学家在不到一年时间里所发现的第三种带负电粒子，该发现有望对星际化学研究产生重大的影响。根据研究，C8H—的产生过程如下：·C2H与C6H2分子结合，产生一个C8H2和一个氢原子；放射线作用让C8H2失去一个氢原子，产生·C8H和一个氢原子；而后一个电子与·C8H结合，产生C8H—负离子，并释放出射线暴。（已知所有微粒均无环状结构，C8H—离子的所有原子都达到稳定结
3、构。）1-1、给出C8H—的路易斯结构式1-2、写出C8H—产生过程的各步反应式,各微粒均用路易斯结构式表示-8-第2题（4分）、2007年是门捷列夫逝世100周年，为了纪念俄国科学家门捷列夫，1955年将Ghiorso,Harvey,Choppin成功合成的第101号元素被命名为钔（MdMendelevium）。他的首次合成是用α粒子轰击Es得到，同时放出一个中子。后来苏联杜布纳联合核子研究所用Ne轰击U靶，并放出四个常见的实物粒子，也获得了Md原子，请写出以上两个核反应方程式.第3题（6分）、最近厦门大学孙世刚教授首
4、次制备出具有高表面能的二十四面体铂纳米晶粒催化剂，显著提高了铂纳米催化剂的活性和稳定性，这一成果发表在2007年5月4日的《science》杂志上。传统的化学法只能合成低表面能的金属纳米晶体，一般是立方体、八面体或是截角八面体，二十四面体是一种十分罕见的晶体形状。若定义晶面（Miller方法）：用晶面（或者平面点阵）在三个晶轴上的截数的倒数的互质整数比来标记。比如某晶面在三个晶轴a,b,c轴（相当x,y,z轴）上的截数是r,s,t（截数等于截长／单位长度，相当于坐标），那么1/r,1/s,1/t之比，化为最简互质的整数比
5、，就是晶面指标。（111）晶面就是在a,b,c三个晶轴上的截长都相等的晶面。3-1、NaCl纳米晶粒（111）晶面上的原子，至少画出六个原子，并显示其几何关系系3-2、铂的二十四面体纳米晶体中存在(730),(520),(310),(210)晶面，这四种晶面在空间位置上有何共同点？3-3、铂纳米电极可以作为电催化剂，使甲醇分步氧化，主要产物为CO2,发现有少量副产物生成，其中一种为甲酸甲酯，试分析甲酸甲酯产生的原因。-8-第4题（11分）、铬镀层光亮，坚硬，耐热耐磨，是优良的装饰性和保护性镀层，长期以来都以六价铬电镀工艺
6、为主，这种工艺污染大，毒性高，我国的《电子信息产品污染控制管理办法》明确规定，从2007年3月1日起控制六价铬工艺的使用，改用三价铬的电镀工艺是研究的热点。某电解槽阴极是铜，阳极是惰性金属，电解液中含Cr2(SO4)30.45kg·dm、体积100dm3的水溶液。电解时使用了150A电流，通电10.0h，阴极铜增重0.349kg，阴阳极释放气体之和为526.4dm3.(气体体积在标准状况下测定)4-1、写出有关的电解的总反应4-2、求电镀的电解效率4-3、释放的气体体积与理论值是否一致？试通过计算说明，如果不一致，试分析
7、导致这种差异的原因。4-4、某研究小组设计实验回收含该电镀废液（主要含Cu2+,Cr3+,Cr2O72-）中的铬,所用到的试剂有Na2SO3,Na2S,NaOH（铬以Cr(OH)3形式回收）写出该小组的实验方案所涉及到的方程式4-5、上述实验铬的回收效率与NaOH的用量有关，如下图所示，分析下图变化的原因第5题（6分）、半导体器件大多是在薄膜或薄膜结构上制造的，厚度从纳米级到微米级。薄膜生长技术有多种，如气相外延法（VPE），液相外延法（LPE），有机金属气相外延法（MOCVD）。5-1、用VPE法生产硅半导体薄膜，以S
8、iHCl3与另一种常见气体为原料在500℃制得，写出反应方程式。硅晶体中可能存在微量的铁，请用中学常用试剂设计实验检测微量铁的存在？-8-5-2、MOCVD法有独特的优点，某金属有机镓化合物A与含H量为3.85%的气态化合物B以摩尔比1：1反应得到具有重要作用的半导体材料C和一种常见气体D,D在标况下密度为1.34g
