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时间:2018-07-22
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1、印制电路板用化学镀镍金工艺探讨(二)3 化学镀镍金工艺流程作为化学镀镍金流程,只要具备以下6个工作站就可满足其生产要求:除油(3~7min)→微蚀(1~2min)→预浸(0.5~1.5min)→活化(2~6min)→沉镍(20~30min)→浸金(7~11min)3.1 安美特(Atotech)公司的化学镀镍金Aurotech工艺流程 Aurotech是安美特公司开发的化学镀镍/金制程的商品名称。适用于制作阻焊膜之后的印制电路板的裸铜区域(一般是焊脚或连接盘的导通孔)进行选择性镀覆的化学法。Aurotech工艺能在裸露
2、的铜表面和金属化孔内沉积均匀的化学镍/金镀层,即使是高厚径比的小孔也如此。Aurotech还特别用于超细线电路,通过边缘和侧壁的最佳覆盖达到完全抗蚀保护,同热风整平相比较,Aurotech没有特别高的温度,印制板基材不会产生热应力变形。此外,热风整平对通孔拐角处的覆盖较差,而化学镀镍/金却很好。与有机可焊涂层相比较,除了熔焊性能之外,Aurotech镀层还具有好的搭接焊、接触导通和散热功能。Aurotech的工艺流程及操作参数见表1。表1 Aurotech之工艺流程及操作参数 工序号 工序名称 药品名称 配制浓度 PH值
3、 温度 处理时间1 酸性清洁剂 CupraprosH2SO4(d=1.84) 100ml/L10ml/L <1 35~40°C 4~6¢ 3级逆流水洗 自来水 3~4¢2 微蚀 Na2S2O8H2SO4(d=1.84) 100g/L20ml/L <1 25~35°C 2~3¢ 3级逆流水洗 自来水 3~4¢3 预浸 H2SO4(d=1.84) 50ml/L <1 22~32°C 3~5¢ 活化 Aurotech-activatorH2SO4(d=1.84) 200ml/L50ml/L <1 23~25°C 1~
4、2¢ 3级逆流水洗 去离子水 3~4¢4 化学镀镍 AurotechCNNMod配制液AurotechCNNA补充剂浓NH3水 150ml/L60ml/L15~20ml/L 4.8~5.3 82~90°C 20~30¢ 化学镀镍 备用槽 3级逆流水洗 去离子水 3~4¢5 化学浸金 AurotechSF配制液Aurotech起始液K[Au(CN)2](Au68.3%) 238ml/L2ml/L3g/L 4.0~5.0 72~80°C 10~15¢ 回收 去离子水 1~2¢ 2级逆流水洗 去离子水
5、 2~3¢ 热水洗 去离子水 0.5~1¢ 烘干 4 化学镀镍/金之工艺控制4.1除油槽一般情况下,印制板化学镀镍/金采用酸性除油剂来处理待加工印制板,其作用在于去除铜面之轻度油脂及氧化物,达到铜面清洁及增加润湿效果的目的。它应当具备不伤阻焊膜、低泡型及易水洗的特性。4.2微蚀槽微蚀的目的,在于清洁铜表面之氧化及前工序遗留残渣,保持铜面新鲜及增加化学镀镍层的密着性。常用的微蚀液为酸性过硫酸钠溶液,参见表1。4.3 预浸槽预浸槽在制程中没有特别的作用,只是维持活化槽的酸度以及使铜面在新鲜状态下(无氧化物),
6、进入活化槽。4.4 活化槽活化的作用,是在铜面析出一层钯,作为化学镀镍起始反应之催化晶核。如前所述,其形成过程为Pd与Cu的化学置换反应。工艺控制需关心的问题有:钯槽稳定性问题、活化槽硝槽处理问题、增加后浸处理问题和活化后水洗问题。4.5 化学镀镍槽化学镀镍是通过在Pd的催化作用下,NaH2PO2水解生成原子态H,同时H原子在Pd催化条件下,将Ni2+还原为单质Ni而沉积在裸铜面上的过程。工艺控制需关心的问题有:磷含量问题、溶液PH值控制问题、镍槽寿命控制问题、溶液活性与稳定剂关系问题、溶液负载量(Loadingfacto
7、r)问题、镀镍槽的配制问题、程式选择问题和槽内壁镍层之去除问题。4.6 化学浸金槽 1)金槽之Au络合剂、PH值、SG、温度、浸渍时间要控制好。 在一般情况下,浸金槽的浸渍时间设定在7~11分钟,操作温度控制在80~90℃,可以根据客户的要求,通过调节温度来控制金厚。 2)沉积速率与浸金厚度问题 以励乐公司“RONMERSE SMT药水”为例,其沉积速率一般控制在0.05μm/5min,使金层厚度最小为0.03μm,最大为0.12μm,此金层能防止镍底不被氧化。 3)使用寿命问题 由于化学浸金是一个置换
8、式反应过程,随着金不断在镍底基上沉积,其反应速度逐渐下降,因而需注意浸金液的寿命,对于励乐公司“RONMERSE SMT药水”体系,大约在3MTO,超过它要及时进行更换。 4)金回收处理问题为了节省成本,金槽后需加装回收水洗,同时还能减轻对环境的污染。5化学镀镍/金可焊性控制 5.1金层厚度对可焊
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